时间：2025/9/14 13:55:54
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PHP36N03LT,127 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源转换和负载开关应用。该器件设计用于在低电压条件下工作，具备较低的导通电阻（RDS(on)），以减少导通损耗并提高系统效率。该MOSFET采用小型DFN（Dual Flat No-lead）封装，适用于空间受限的便携式设备和高密度电源系统。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：36A（最大）
漏源极电压（VDS）：30V
栅源极电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大7.8mΩ（在VGS=10V时）
栅极电荷（Qg）：约19nC
封装类型：DFN1006（3.3x3.3mm）
工作温度范围：-55°C至150°C
PHP36N03LT,127 是一款高性能的功率MOSFET，其主要特性包括低导通电阻、高电流能力和紧凑型封装设计。该器件的RDS(on)极低，在VGS=10V时仅为7.8mΩ，有助于降低导通状态下的功率损耗，提高整体系统效率。此外，该MOSFET具备较高的电流承载能力，连续漏极电流可达36A，适用于要求高功率密度和高效率的应用场景。
该MOSFET采用DFN1006封装，具有优良的热性能和空间利用率，适用于需要紧凑设计的便携式电子设备和高密度电源模块。其封装结构也提供了良好的电气性能和机械稳定性，确保在高频开关应用中的可靠性。此外，器件的工作温度范围宽广（-55°C至150°C），适用于各种恶劣环境条件下的稳定运行。
该MOSFET还具备较低的栅极电荷（Qg），有助于减少开关损耗，提高开关速度，从而提升整体系统效率。其快速开关特性使其适用于DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和负载开关等应用。此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持标准逻辑电平驱动，方便与各种控制电路配合使用。
PHP36N03LT,127 常用于需要高效率和高功率密度的电源管理系统，如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统等。由于其低导通电阻和高电流能力，该MOSFET特别适合用于便携式设备中的电源转换模块，如笔记本电脑、平板电脑、智能手机和无人机等。此外，该器件也可用于服务器、通信设备和工业自动化系统中的功率控制电路。
SiSS52DN, NexFET CSD17303Q5, AO4406A, IRF3703PbF
