PHP23NQ10T 时间：2025/6/9 18:44:05 阅读：5

PHP23NQ10T 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，适用于高频开关和功率转换应用。该器件采用了先进的半导体工艺制造，具有较低的导通电阻和极快的开关速度，使其在众多电源管理电路中表现出色。
　　PHP23NQ10T 的额定耐压为 100V，能够承受较高的漏源电压，同时具备优异的热性能和可靠性，适合用于消费电子、工业设备以及通信设备中的各种应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　额定电压：100V
　　最大电流：23A
　　导通电阻（Rds(on)）：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
　　栅极电荷：18nC（典型值）
　　输入电容：1080pF（典型值）
　　总功耗：160W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

PHP23NQ10T 具有低导通电阻的特点，这可以显著降低导通损耗，提高系统效率。此外，其快速的开关特性使其非常适合高频应用环境。
　　该器件还拥有出色的雪崩能力和抗静电能力，从而提高了其在恶劣环境下的可靠性和稳定性。
　　另外，PHP23NQ10T 使用了 TO-220 封装形式，这种封装不仅散热性能良好，而且易于安装和维护，为工程师提供了极大的便利。

应用

PHP23NQ10T 广泛应用于多种电力电子领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. 直流/直流转换器中的功率开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率控制元件。
　　4. 电池保护电路中的负载开关。
　　5. 工业自动化设备中的信号隔离与功率传输控制。
　　6. LED 驱动器中的电流调节功能实现。