时间：2025/12/27 20:21:20
阅读：9
PHP112N06T是一款由STMicroelectronics（意法半导体）生产的N沟道增强型功率MOSFET，采用先进的StripFET? F7系列工艺技术制造。该器件专为高效率、高频率开关应用而设计，广泛应用于电源转换系统中，如DC-DC变换器、开关模式电源（SMPS）、电机驱动以及负载管理等场景。其封装形式为PowerSSO-36（也称为LFPAK或Mini-FDPAK），具有低热阻和优异的散热性能，适合在紧凑空间内实现高效能功率处理。该MOSFET具备较低的栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss），有助于降低开关损耗，提升整体系统效率。同时，它还具备良好的雪崩耐受能力和抗短路能力，增强了在严苛工作环境下的可靠性。
由于采用了表面贴装封装技术，PHP112N06T支持自动化贴片生产，适用于现代高密度PCB布局。器件符合RoHS环保标准，并具备无卤素（Halogen-free）特性，满足工业与汽车电子对环保材料的严格要求。此外，其坚固的封装结构可有效减少机械应力对芯片的影响，提高长期运行稳定性。该器件的工作结温范围通常为-55°C至+175°C，使其能够在极端温度环境下稳定工作，适用于车载电子、工业控制及通信电源等多种高端应用场景。
型号：PHP112N06T
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：60V
连续漏极电流（Id at 25°C）：110A
脉冲漏极电流（Idm）：390A
栅源电压（Vgs）：±20V
功耗（Ptot）：250W
导通电阻Rds(on) max @ Vgs = 10V：4.8mΩ
导通电阻Rds(on) max @ Vgs = 4.5V：6.4mΩ
阈值电压（Vth min）：2V
阈值电压（Vth max）：3V
输入电容（Ciss）：10200pF
输出电容（Coss）：1400pF
反向恢复时间（trr）：29ns
工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerSSO-36 (Mini-FDPAK)
