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PHN210T,118 发布时间 时间:2025/4/30 19:17:17 查看 阅读:4

PHN210T,118 是一款高性能的光电耦合器,广泛应用于工业自动化、通信设备和消费类电子产品中。它采用先进的光电转换技术,能够实现高效率的信号隔离与传输,同时具有较强的抗干扰能力。
  该光电耦合器内置高速光敏元件,支持较宽的工作电压范围,并且具备低输入电流、高共模抑制比等特性。其封装形式紧凑,适合在空间受限的应用场景中使用。

参数

类型:光电耦合器
  工作电压:3.3V - 5V
  输入电流:1mA - 16mA
  隔离电压:2500Vrms
  传播延迟时间:50ns(典型值)
  上升时间:15ns
  下降时间:10ns
  工作温度范围:-40℃ 至 +125℃
  封装形式:SO-6

特性

PHN210T,118 的主要特点是高可靠性和出色的电气性能。它能够在严苛的电磁环境下稳定工作,适用于需要长时间运行的系统。
  以下是其关键特性:
  1. 高速响应:由于采用了高效的光电转换材料,使得器件具备极短的传播延迟时间和快速的信号切换能力。
  2. 高隔离度:可承受高达2500Vrms的隔离电压,确保电路间的安全隔离。
  3. 宽温设计:适应各种户外或工业环境。
  4. 紧凑型封装:SO-6 封装使其成为小型化设计的理想选择。
  5. 低功耗:较低的输入驱动电流减少了系统的整体能耗。

应用

这款光电耦合器广泛应用于以下领域:
  1. 工业控制:用于PLC、变频器和其他工业设备中的信号隔离。
  2. 通信设备:提供数据传输链路中的电气隔离功能。
  3. 消费电子:例如家用电器中的电源管理模块。
  4. 医疗设备:如监护仪、超声波设备中的信号隔离。
  5. 汽车电子:在车载信息系统中实现高低压电路间的隔离。

替代型号

HCPL-2630
  6N137
  TLP291

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PHN210T,118参数

  • 标准包装2,500
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 阵列
  • 系列TrenchMOS™
  • FET 型2 个 N 沟道(双)
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.4A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C100 毫欧 @ 2.2A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.8V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs6nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds250pF @ 20V
  • 功率 - 最大2W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称934055451118PHN210T /T3PHN210T /T3-ND