时间：2025/12/27 20:52:37
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PHM30NQ10T是一款由安森美（onsemi）生产的高性能N沟道功率MOSFET，广泛应用于中高功率开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽型技术制造，能够在较低的导通电阻下实现高效的电流控制，从而显著降低系统功耗并提升整体能效。PHM30NQ10T具有优良的热稳定性和可靠性，适用于工业级温度范围工作环境，其封装形式为DPAK（TO-252），便于散热设计和在印刷电路板上的安装。
该MOSFET的设计重点在于优化了栅极电荷与导通电阻之间的平衡，使其在高频开关应用中表现出色。同时，器件具备较强的雪崩能量承受能力，增强了在瞬态过压情况下的鲁棒性。PHM30NQ10T符合RoHS环保标准，并通过了AEC-Q101车规级认证，因此不仅适用于工业和消费类电子设备，也可用于汽车电子系统中的功率控制模块。
型号：PHM30NQ10T
类型：N沟道MOSFET
漏源电压Vds：100 V
连续漏极电流Id（@25°C）：30 A
脉冲漏极电流Idm：120 A
栅源电压Vgs：±20 V
导通电阻Rds(on)（@Vgs=10V）：47 mΩ
导通电阻Rds(on)（@Vgs=4.5V）：60 mΩ
阈值电压Vgs(th)：2.0 ~ 4.0 V
输入电容Ciss：2380 pF
输出电荷Qg（@10V）：95 nC
功率耗散Pd：200 W
工作结温范围：-55 °C 至 +175 °C
封装：DPAK (TO-252)
