时间：2025/9/14 6:24:10
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PHK13N03LT,518 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、低电压应用而设计，广泛用于 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。该 MOSFET 采用先进的 Trench 工艺，具备低导通电阻和良好的热性能，有助于提升系统的整体能效。PHK13N03LT,518 采用小型 TSOP 封装，适合对空间要求较高的应用设计。
类型：N 沟道
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：13A
导通电阻（Rds(on)）：45mΩ @ Vgs=10V；60mΩ @ Vgs=4.5V
功率耗散（Ptot）：2.5W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TSOP
PHK13N03LT,518 MOSFET 具备多项优良特性。其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在高电流应用中，这种低电阻特性尤其重要，可以减少功率损耗和热量产生，从而提升系统稳定性。此外，该器件采用先进的 Trench 技术制造，提供了更高的性能和更小的导通电阻，同时保持了良好的热管理和可靠性。
PHK13N03LT,518 还具备较高的栅极电荷（Qg）性能，确保在高频开关应用中具有较快的响应速度，同时不会显著增加驱动损耗。其最大漏源电压为 30V，支持多种低压电源管理应用，如电池供电设备和便携式电子产品。该器件的栅极氧化层设计可以承受高达 ±20V 的栅源电压，提供更高的安全裕量，避免因电压尖峰而导致的损坏。
此外，PHK13N03LT,518 采用紧凑的 TSOP 封装形式，有助于节省 PCB 空间，同时保持良好的散热性能。这种封装形式适合自动化装配，提高生产效率，并降低整体制造成本。由于其高可靠性和优异的电气性能，PHK13N03LT,518 被广泛用于工业控制、消费类电子产品和汽车电子系统中。
PHK13N03LT,518 MOSFET 主要用于各种低电压、高效率的功率管理应用。它在 DC-DC 转换器中表现尤为出色，适用于电源适配器、电池管理系统和负载开关等应用。在消费类电子产品中，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手机，该器件可用于高效的电源管理模块，以延长电池续航时间。
在工业控制系统中，PHK13N03LT,518 可用于电机驱动、继电器控制和电源分配系统。其低导通电阻和高电流承载能力使其成为高性能开关的理想选择。此外，该 MOSFET 还适用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和 LED 照明系统，满足汽车应用对可靠性和稳定性的严格要求。
IPD13N03S4-03, PMV13XN3EL, NDS355AN
