时间：2025/9/14 18:12:52
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PHD71NQ03LT,118 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的 Trench 工艺，具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性。PHD71NQ03LT,118 封装为 TSOP6，尺寸小巧，适用于需要高效能和空间紧凑的应用场景。该器件的工作电压最大为 30V，能够提供高达 70A 的连续漏极电流，适用于中高功率的开关电源应用。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：±20V
连续漏极电流（ID）：70A
导通电阻（RDS(on)）：最大 3.1mΩ（在 VGS=10V）
功率耗散（PD）：100W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TSOP6
PHD71NQ03LT,118 具有多个优异的电气特性，使其在功率电子应用中表现出色。
首先，该器件采用了先进的 Trench MOSFET 技术，使导通电阻（RDS(on)）非常低，从而减少了导通损耗，提高了系统效率。在 VGS=10V 的条件下，RDS(on) 的最大值仅为 3.1mΩ，这对于高电流应用非常重要。
其次，PHD71NQ03LT,118 的最大漏极电流可达 70A，非常适合用于高功率开关应用，如 DC-DC 转换器、负载开关、电机控制和电池管理系统等。同时，其较高的栅极击穿电压（±20V）提供了更强的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
此外，该器件的封装为 TSOP6，具有较小的封装体积，便于在空间受限的设计中使用。同时，其热阻较低，有利于热量的快速散出，提高器件在高负载条件下的稳定性与寿命。
最后，PHD71NQ03LT,118 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，具备良好的环境适应性，适用于工业级和汽车电子应用。
PHD71NQ03LT,118 广泛应用于多个领域，尤其适用于高效率、高功率密度的设计场景。
在电源管理方面，该器件常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关和稳压器模块中，其低导通电阻和高电流能力有助于提升系统效率并减少散热需求。
在汽车电子领域，PHD71NQ03LT,118 可用于车载充电系统、电动助力转向系统（EPS）、电池管理系统（BMS）以及各种功率控制模块，其宽工作温度范围和高可靠性满足汽车环境的严苛要求。
在工业自动化和电机控制应用中，该器件可用于电机驱动、继电器替代和功率开关控制，其快速开关特性和低损耗特性有助于提升设备性能和节能效果。
此外，由于其封装体积小，也适用于便携式电源设备、电池供电系统和无人机等对空间和重量敏感的应用场景。
Si7196DP-T1-GE3, FDD8858, IRLB8721PbF, IPD71NQ03S4-03
