时间：2025/9/14 15:18:43
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PHD101NQ03LT,118 是由 Nexperia（安世半导体）生产的一款高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件专为高效率、高密度电源转换应用而设计，广泛用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等。PHD101NQ03LT,118 采用了先进的 Trench 工艺技术，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适合在高频率和高负载条件下工作。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds)：30V
栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：100A（在 Tc=25°C）
导通电阻(Rds(on))：最大 0.95mΩ（在 Vgs=10V）
功率耗散(Pd)：140W
工作温度范围：-55°C ~ 175°C
封装类型：LFPAK56(E)
安装类型：表面贴装
PHD101NQ03LT,118 具备多项优异特性，使其在功率电子设计中表现出色。
首先，该器件采用先进的 Trench 技术，显著降低了导通电阻 Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了能效。其最大导通电阻为 0.95mΩ，在 Vgs=10V 时，能够有效降低功率损耗，提升系统效率。
其次，PHD101NQ03LT,118 采用 LFPAK56(E) 封装，这是一种高性能的表面贴装封装，具备出色的热性能和机械强度。该封装结构允许更高的电流承载能力，并且能够有效散热，适用于高功率密度的设计。
此外，该 MOSFET 支持高达 100A 的连续漏极电流，在 Tc=25°C 条件下表现优异，适用于需要高电流处理能力的应用场景。其最大功率耗散为 140W，能够在高负载条件下稳定工作。
PHD101NQ03LT,118 还具有宽泛的工作温度范围（-55°C 至 175°C），适用于工业和汽车电子等严苛环境下的应用。其栅源电压范围为 ±20V，具备良好的抗过压能力，提高了器件的可靠性和稳定性。
最后，该器件的封装设计支持无铅工艺和符合 RoHS 标准，满足环保要求，适用于现代绿色电子产品的开发。
PHD101NQ03LT,118 广泛应用于多种功率电子系统中，尤其适用于需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括：同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、工业电源模块以及汽车电子系统等。由于其高电流能力和低导通电阻，特别适合用于高功率密度的电源设计，如服务器、通信设备和工业自动化设备中的电源模块。此外，其出色的热性能和稳定性也使其成为车载电源系统和电动工具的理想选择。
SiSS100N03S、PSMN100-03PA、IPD100N03S4-03
