型号：PHB87N03
　　制造商：NXP Semiconductors
　　晶体管类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：80A（在TC=25°C时）
　　脉冲漏极电流（IDM）：240A
　　导通电阻RDS(on)：max 3.3mΩ（在VGS=10V时）
　　导通电阻RDS(on)：max 4.2mΩ（在VGS=4.5V时）
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值2.0V，范围1.5V~2.5V
　　输入电容（Ciss）：典型值2600pF
　　输出电容（Coss）：典型值950pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值28ns
　　栅极电荷（Qg）：典型值60nC（在VGS=10V时）
　　功耗（PD）：250W（在TC=25°C时）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +175°C
　　封装类型：LFPAK（PowerSO8）或D2PAK

PHB87N03的核心特性之一是其极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V条件下最大仅为3.3mΩ，在VGS=4.5V时也仅为4.2mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提高了电源系统的整体效率。这一特性特别适用于大电流应用场景，如大功率DC-DC变换器和电池管理系统，能够有效减少发热并提升能量利用率。该器件采用NXP先进的TrenchMOS工艺，优化了载流子迁移路径，增强了沟道密度，从而在不增加芯片面积的前提下实现了更低的RDS(on)。同时，该工艺还提升了器件的开关速度和动态性能。
　　另一个关键特性是其优异的热性能和封装设计。PHB87N03采用LFPAK或D2PAK封装，这两种封装均具有低热阻特性，确保热量能够高效地从芯片传导至PCB或散热器。LFPAK作为一种无引线表面贴装封装，不仅节省空间，还具备更高的机械强度和更好的焊接可靠性，适合自动化生产。此外，其高达250W的功耗能力（在TC=25°C下）使其能够在高负载条件下持续稳定运行。
　　该器件还具备出色的开关特性，栅极电荷Qg典型值为60nC，较低的Qg意味着驱动电路所需的能量更少，有利于提高开关频率并降低驱动损耗。同时，输入电容Ciss和输出电容Coss分别为2600pF和950pF，使得器件在高频工作时仍能保持良好的响应特性。反向恢复时间trr为28ns，表明体二极管的恢复速度较快，减少了在感性负载开关过程中的反向恢复损耗，提升了系统效率。
　　PHB87N03符合AEC-Q101汽车级可靠性标准，具备优异的抗湿性、抗温度循环能力和长期稳定性，适用于严苛的汽车电子环境，如车载充电器、电动座椅控制、灯光系统等。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）也确保了在极端环境下的可靠运行。此外，器件具有±20V的栅源电压耐受能力，提供了良好的过压保护裕量，增强了系统鲁棒性。

PHB87N03广泛应用于需要高效、大电流开关能力的电源系统中。在DC-DC转换器中，尤其是同步整流拓扑结构中，该器件凭借其低RDS(on)和快速开关特性，能够显著降低导通和开关损耗，提高转换效率，常用于服务器电源、通信设备电源模块以及笔记本电脑适配器等。在负载开关应用中，PHB87N03可作为主控开关用于电源路径管理，实现对不同功能模块的上电/断电控制，其高电流承载能力和低导通压降有助于减少电压跌落和发热问题。
　　在电机驱动领域，该MOSFET可用于直流电机或步进电机的H桥驱动电路中，作为高端或低端开关元件，其快速响应能力和高耐流特性确保了电机启动、制动和调速过程的平稳与高效。此外，在电池管理系统（BMS）中，PHB87N03可用于充放电控制开关，保障电池组的安全运行。
　　由于其符合AEC-Q101标准，PHB87N03在汽车电子中也有广泛应用，包括车载信息娱乐系统电源、LED照明驱动、车窗升降电机控制、电子节气门控制等。在工业控制领域，该器件可用于PLC输出模块、继电器替代方案以及电源分配单元中，提供可靠的功率切换能力。此外，其优异的热性能和紧凑封装也使其成为便携式大功率设备（如电动工具、无人机电源模块）的理想选择。

PSMN083-30YL
　　BSC089N03LS
　　IRLHS3041