时间：2025/6/17 9:28:19
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PHB55N03LT 是一款 N 治道场效应晶体管（MOSFET），采用先进的半导体制造工艺，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，能够在高频应用中提供高效性能。
最大漏源电压：30V
最大连续漏极电流：55A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
栅极电荷：26nC
开关速度：非常快
封装形式：TO-247
PHB55N03LT 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 快速的开关特性，适合高频应用场景。
3. 高雪崩能力，能够承受瞬时过压事件。
4. 强大的电流处理能力，可支持高达 55A 的连续漏极电流。
5. 热稳定性好，能够有效应对高功率负载条件。
6. 采用 TO-247 封装，便于散热设计和电路板布局。
该器件适用于需要高效能和高可靠性的电力电子设备，例如工业级电机驱动、通信电源和太阳能逆变器等领域。
PHB55N03LT 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. 电机驱动控制
3. DC-DC 转换器
4. 太阳能逆变器
5. 电动车辆的牵引逆变器
6. 工业自动化设备中的功率控制模块
由于其出色的电气特性和热性能，这款 MOSFET 在高功率密度和高效率的应用场合中表现尤为突出。
IRFB4110, STP55NF03L
