时间：2025/9/14 15:37:32
阅读：5
PHB45NQ15T,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高电流、高效率的功率应用而设计，适用于汽车电子、工业控制、电源管理等多个领域。该MOSFET采用先进的TrenchFET技术，具有较低的导通电阻和出色的热性能，能够在高负载条件下保持稳定的工作状态。PHB45NQ15T,118封装为D2PAK，便于在各种电路板上安装和散热管理。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：150V
连续漏极电流（Id）：45A
导通电阻（Rds(on)）：18mΩ（典型值）
栅极电荷（Qg）：110nC（典型值）
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：D2PAK
功率耗散（Ptot）：250W
漏极电流脉冲（Idm）：180A
PHB45NQ15T,118具有多项优良的电气和物理特性，使其适用于高要求的功率应用。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流条件下能够有效降低功率损耗，提高系统效率。此外，该MOSFET采用了先进的TrenchFET工艺，能够在保持较小芯片尺寸的同时提供较高的电流处理能力，从而实现更高的功率密度。该器件的高栅极电荷（Qg）特性有助于减少开关损耗，提高整体性能。PHB45NQ15T,118还具备优异的热稳定性，能够在极端工作温度下保持稳定运行，适用于恶劣环境下的应用。此外，其D2PAK封装具有良好的热管理能力，可有效散热，提高器件的可靠性。该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，能够承受瞬时过电压冲击，增强系统的鲁棒性。
PHB45NQ15T,118广泛应用于多个高功率电子系统，包括但不限于电源转换器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、直流-直流转换器、汽车电子控制单元（ECU）以及工业自动化设备。其高电流处理能力和低导通电阻使其特别适用于需要高效能和高可靠性的应用场合。在汽车电子领域，该器件可用于电动助力转向系统（EPS）、车载充电器、DC/AC逆变器等关键系统中。在工业领域，PHB45NQ15T,118可用于电源模块、UPS系统、LED照明驱动器等高功率设备。此外，该MOSFET也可用于可再生能源系统，如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率控制模块。
IRF1405, STP45NF15, FDP45N15
