时间：2025/9/14 16:37:58
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PHB29N08T,118 是由恩智浦半导体（NXP Semiconductors）生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。这款MOSFET设计用于高电流和高功率应用，具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够提供高效能和低功耗的特性。该器件采用高性能的TrenchFET技术，具备优异的热稳定性和可靠性。PHB29N08T,118 常用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（Id）：29A
漏源极击穿电压（Vds）：80V
栅源极电压（Vgs）：±20V
导通电阻（Rds(on)）：约6.8mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：D2PAK
最大功耗（Ptot）：约100W
PHB29N08T,118 MOSFET采用了先进的TrenchFET技术，使得该器件在导通状态下具有非常低的Rds(on)值，从而减少了导通损耗，提高了能效。此外，该MOSFET具备高电流承载能力和优异的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其高栅极电压耐受性（±20V）使其适用于各种开关应用，并能有效防止过压损坏。该器件还具有较高的耐用性和可靠性，适用于高要求的工业和汽车电子系统。
PHB29N08T,118的封装形式为D2PAK，这是一种表面贴装封装，具有良好的热管理能力，便于在高功率应用中进行散热。这种封装也便于自动化生产，提高了组装效率。此外，该MOSFET的快速开关特性使其适用于高频开关电源和DC-DC转换器，有助于减小外部元件的尺寸并提高系统效率。
PHB29N08T,118 MOSFET广泛应用于需要高电流和高效率的功率电子系统中。例如，该器件可用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统和电机驱动器。此外，它也适用于汽车电子系统中的功率控制模块，如电动助力转向系统、车载充电器和车身控制模块。由于其高可靠性和优异的热性能，该MOSFET也适合用于工业自动化设备、电源管理和负载开关电路。
IRF2908PBF, FDP29N08, STP29NM80T4, AUIRF2908
