时间：2025/9/14 16:14:12
阅读：5
PHB18NQ10T,118是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率和高频应用。该器件采用先进的Trench MOSFET技术，提供低导通电阻和高效能，适用于电源管理和功率转换系统。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（VDS）：100V
连续漏极电流（ID）：18A
栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为11.8mΩ（在VGS = 10V时）
功率耗散（Ptot）：60W
工作温度范围：-55°C至175°C
封装类型：TO-220AB
工艺技术：Trench MOSFET
PHB18NQ10T,118具备多项高性能特性，使其在功率应用中表现出色。其导通电阻低至11.8mΩ，能够在高电流下保持较低的导通损耗，从而提高整体系统的效率。该器件采用Trench MOSFET技术，提供了卓越的热稳定性和高频响应能力，适合用于开关频率较高的应用。
此外，该MOSFET支持高达18A的连续漏极电流和100V的漏源电压，能够满足中高功率负载的需求。其栅源电压范围为±20V，提供了良好的栅极控制能力，并支持快速的开关动作，有助于降低开关损耗。
PHB18NQ10T,118的封装形式为TO-220AB，这种封装结构具备良好的散热性能，适合在功率密度较高的电路中使用。工作温度范围从-55°C到175°C，使其能够在严苛的环境条件下稳定运行。
综合来看，PHB18NQ10T,118是一款适用于高功率、高频率和高温环境的MOSFET，具有优异的电气性能和可靠性，适用于多种电源管理和功率转换场景。
PHB18NQ10T,118适用于多种功率电子系统，包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电源管理模块以及工业自动化设备中的功率控制部分。其高电流能力和低导通电阻使其成为高效能电源设计的理想选择。
IRFZ44N, STP18NF10
