PH865C15是一款高性能的射频功率晶体管,广泛应用于通信、工业和消费类电子设备中。作为一款射频功率放大器的核心元件,PH865C15具备高增益、高效率和出色的热稳定性,能够在高频率和高功率环境下稳定运行。这款晶体管通常采用高电子迁移率晶体管(HEMT)技术制造,适用于高频放大和射频功率输出场景。
类型:射频功率晶体管
技术:HEMT(高电子迁移率晶体管)
最大工作频率:860 MHz
最大输出功率:15 W
增益:20 dB(典型值)
漏极电流(ID):1.5 A(最大值)
漏源电压(VDS):28 V
封装形式:TO-247或类似功率封装
工作温度范围:-40°C至+150°C
热阻(Rth):约2.5°C/W
PH865C15采用先进的HEMT工艺,具有优异的射频性能和高可靠性。其高输出功率能力使其适用于高功率射频放大器,如广播发射机、工业加热设备和无线通信基站。晶体管的高增益特性减少了对前级放大器的要求,简化了系统设计并提高了整体效率。此外,PH865C15具有良好的热稳定性和较低的热阻,确保在高功率运行时仍能保持稳定的工作状态,减少因温度升高带来的性能下降。
该晶体管还具有较低的失真特性,能够在宽频率范围内保持线性放大,适用于需要高质量信号传输的应用。PH865C15在设计上优化了封装结构,提高了散热效率,延长了器件的使用寿命,并降低了系统维护成本。这些特性使其成为高功率射频应用中的理想选择。
PH865C15广泛应用于射频功率放大器、无线通信基站、广播发射机、工业加热设备、射频测试仪器以及高功率射频能量传输系统。在无线通信领域,PH865C15可用于GSM、CDMA、WCDMA等移动通信系统的射频放大模块。在广播行业,该晶体管可用于调频广播和电视发射机的末级功率放大。此外,PH865C15也可用于射频加热和等离子体发生器等工业应用中,提供稳定的高功率输出。
PH865C20, PH865C10, RFPA865C15, MRF865C15