型号：PH75S110-5
　　制造商：NXP Semiconductors
　　器件类型：射频功率MOSFET晶体管
　　技术工艺：LDMOS
　　工作频率范围：470 MHz - 860 MHz
　　输出功率（Pout）：75 W（典型值）
　　增益：≥20 dB（典型值）
　　漏极效率（Drain Efficiency）：≥65%（典型值）
　　工作电压（Vd）：32 V
　　输入匹配阻抗：50 Ω（标称）
　　输出匹配阻抗：50 Ω（标称）
　　封装类型：Ceramic/Metal Flanged Package
　　安装方式：底板安装（Flange Mount）
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　工作结温范围：-40°C 至 +150°C
　　输入回波损耗：≥12 dB（典型值）
　　输出回波损耗：≥10 dB（典型值）
　　二次谐波抑制：≥15 dBc（典型值）

PH75S110-5采用先进的LDMOS工艺技术，使其在高频操作下仍能保持卓越的线性度和效率表现。这种材料结构不仅提升了载流子迁移率，还显著降低了导通电阻和开关损耗，从而实现更高的能量转换效率。器件在470 MHz至860 MHz的宽频带范围内均可维持稳定的75瓦输出功率，特别适用于多频道同时放大的广播发射系统。其高增益特性（典型值超过20 dB）有效减少了前级驱动级的设计复杂度，降低了整体系统的功耗需求。由于采用了陶瓷金属封装，PH75S110-5具备极佳的热传导性能，能够在恶劣环境温度下长时间可靠运行而不会出现热失控现象。封装底部带有金属法兰，便于通过散热片或风冷/液冷系统进行高效散热，确保结温始终控制在安全范围内。
　　该器件具有出色的输入和输出阻抗匹配能力，标准50欧姆接口设计简化了与外围电路的连接，减少了额外匹配网络的需求，有助于缩小PCB布局面积并提升系统集成度。同时，较高的输入和输出回波损耗指标（分别达到12 dB和10 dB以上）意味着信号反射极小，提高了传输效率和系统稳定性。内置的ESD保护机制可在人体模型（HBM）测试中承受±2 kV以上的静电冲击，增强了器件在装配、运输和现场维护过程中的抗干扰能力。PH75S110-5还展现出优秀的互调失真（IMD）性能，在多载波应用中可有效抑制邻道干扰，满足严格的电磁兼容性（EMC）要求。
　　该晶体管经过严格的老化筛选和可靠性验证，符合工业级和通信级质量标准，平均无故障时间（MTBF）超过百万小时。它支持多种调制格式，包括OFDM、QAM和FM等，因此不仅适用于数字电视广播，也可用于新一代宽带无线接入系统。NXP为其提供了完整的参考设计文档、匹配电路建议和热管理指南，帮助工程师快速完成产品开发与调试。总体而言，PH75S110-5是一款兼顾高性能、高可靠性和易用性的射频功率器件，是现代高功率射频放大应用的理想选择。

PH75S110-5主要应用于各类高功率射频放大系统，尤其适用于数字电视广播发射机（如DVB-T、ISDB-T、ATSC标准系统），可在单频网（SFN）环境中提供稳定的大范围覆盖能力。它也广泛用于专业无线通信基础设施，例如公共安全网络、应急指挥系统和陆地移动无线电（LMR）基站，支持关键任务通信的高可用性需求。此外，该器件可用于工业、科学和医疗（ISM）领域的射频能量应用，如介质加热、等离子体生成和射频干燥设备。在科研实验装置中，PH75S110-5常被用作宽频带信号放大模块的核心元件，支持从VHF到UHF频段的多种实验频率配置。由于其良好的线性度和互调性能，该晶体管也被集成于多载波预放大器和后放大器系统中，服务于蜂窝网络扩展器、中继站和分布式天线系统（DAS）。在航空导航地面站、气象雷达辅助设备等特种电子系统中，PH75S110-5同样发挥着重要作用。NXP提供的完整技术支持包使得该器件易于整合进现有平台，并可通过优化匹配网络进一步提升系统整体效能。

BLF888A
　　MHW918
　　PD55003