类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压(Vds)：30V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：120A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：最大值3.0mΩ（典型值2.4mΩ，当Vgs=10V时）
　　功率耗散(Pd)：120W（表面贴装在PCB上时）
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装形式：LFPAK56（Power-SO8）
　　安装类型：表面贴装

PH7030AL,115具有多项优异特性，使其在多种电源管理应用中表现出色。首先，它的导通电阻非常低，最大值为3.0mΩ，在Vgs=10V时典型值仅为2.4mΩ，这有助于降低导通损耗，提高系统效率。低Rds(on)特性对于需要高电流和低电压的应用尤其重要，如DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等。
　　其次，PH7030AL,115的连续漏极电流能力高达120A（在25°C环境温度下），这使其能够承受较大的负载电流，适用于高功率密度设计。此外，该器件的最大漏源电压为30V，栅源电压范围为±20V，具备良好的电压耐受能力，能够适应多种电源管理场景。
　　该MOSFET采用LFPAK56（Power-SO8）封装，这是一种高性能的表面贴装封装技术，能够提供优异的热管理和电气性能。与传统封装相比，LFPAK56封装减少了封装电阻和电感，从而提高了整体效率并降低了电磁干扰（EMI）。同时，该封装设计有助于提高散热性能，使得器件在高电流应用中仍能保持较低的工作温度。
　　PH7030AL,115的工作温度范围为-55°C至175°C，具有良好的热稳定性和可靠性。这一特性使其适用于各种严苛的工业和汽车应用环境，能够在极端温度条件下正常工作。此外，该器件的功率耗散能力为120W（在表面贴装于PCB时），进一步提升了其在高功率应用中的适用性。

PH7030AL,115因其优异的电气特性和封装设计，被广泛应用于多个领域。在电源管理方面，该器件常用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关等电路中，提供高效的电能转换和管理。由于其高电流能力和低导通电阻，PH7030AL,115在服务器电源、电信设备和工业自动化系统中具有很高的应用价值。
　　在汽车电子领域，PH7030AL,115可用于车载充电器、电池管理系统和电动车辆的功率控制模块。其宽工作温度范围和高可靠性使其能够适应汽车环境中常见的极端温度和振动条件。此外，该器件还可用于电机控制和电动助力转向系统（EPS），提供稳定的功率控制和高效的能量管理。
　　PH7030AL,115还可应用于消费类电子产品，如高性能笔记本电脑和台式机的电源管理单元。其LFPAK56封装设计有助于减少PCB空间占用，提高整体设计的紧凑性。此外，在便携式设备中，该器件可用于电池充电和放电管理，提供高效的能量利用和较长的电池寿命。

Si7461DP-T1-GE3, STD80N3LLH6AG, IPW04R040T4-07