时间：2025/9/14 13:26:59
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PH1730AL,115 是一款由 Nexperia（原恩智浦半导体的一部分）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件设计用于高效功率管理应用，适用于开关模式电源、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。PH1730AL 采用先进的 Trench MOSFET 技术，提供较低的导通电阻（Rds(on)）和优异的热性能，适用于中高功率需求的应用。该器件采用 TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热能力，并符合 RoHS 标准。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：80A
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=10V, ≤3.6mΩ
导通电阻（Rds(on)）：@Vgs=4.5V, ≤6.2mΩ
功率耗散（Ptot）：115W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装：TO-252 (DPAK)
极性：N 沟道
栅极电荷（Qg）：@20V, 典型值 65nC
PH1730AL,115 具备多个关键特性，适用于高要求的功率电子系统。其核心优势在于低导通电阻，这有助于降低导通损耗并提高系统效率。在 VGS=10V 时，RDS(ON) 最大值为 3.6mΩ，在 VGS=4.5V 时为 6.2mΩ，这意味着即使在较低的栅极驱动电压下也能保持较低的导通损耗。该器件具备较高的连续漏极电流能力（80A），适合用于大电流负载切换和高功率密度设计。
此外，PH1730AL 采用了先进的 Trench 技术，提高了沟道密度并优化了电场分布，从而提升了器件的性能与可靠性。其 TO-252 封装形式提供了良好的热管理能力，有助于在高功耗应用中保持稳定的工作温度。该器件还具备快速开关特性，栅极电荷（Qg）典型值为 65nC，使其适用于高频开关应用，如同步整流和 DC-DC 转换器。
PH1730AL 还具备良好的抗雪崩能力和短路耐受性，可在恶劣工况下提供稳定的性能。其工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，适用于汽车电子、工业控制和电源管理系统等严苛环境下的应用。
PH1730AL,115 主要应用于需要高效功率控制和大电流能力的电子系统中。常见的应用包括开关模式电源（SMPS）、同步整流器、DC-DC 转换器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器、负载开关和电源分配系统等。在服务器电源、通信设备和工业自动化系统中，该器件可用于实现高效率的功率转换和管理。
由于其优异的导通特性和高电流能力，PH1730AL 也常被用于汽车电子系统中，如车载充电器、车身控制模块、电动助力转向系统（EPS）和车载逆变器等。此外，该器件还可用于电源适配器、UPS（不间断电源）、太阳能逆变器和LED照明驱动器等应用，提供高可靠性和高效率的解决方案。
SiS828DN, IRF1730, FDP1730, FDS8873, AUIRF1730
