类型：N沟道MOSFET模块
　　最大漏源电压（Vds）：280V
　　最大漏极电流（Id）：100A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值28mΩ（@Vgs=10V, Id=50A）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　功耗（Pd）：300W（带散热器）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +175°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +175°C
　　输入电容（Ciss）：约4800pF @ Vds=25V
　　输出电容（Coss）：约1200pF @ Vds=25V
　　反向恢复时间（trr）：典型值50ns
　　封装形式：Power Module（具体尺寸依厂商而定）

PH100S280-28的核心特性之一是其低导通电阻，典型值仅为28mΩ，在高电流应用中显著降低了导通损耗，提高了系统效率。该模块采用了先进的沟槽式MOSFET工艺，增强了载流子迁移率，同时优化了元胞密度，使得在相同芯片面积下实现更高的电流处理能力。这种设计不仅提升了功率密度，还减少了热量产生，有助于延长器件寿命并降低对散热系统的要求。此外，低Rds(on)特性使其特别适用于电池管理系统、DC-DC变换器和太阳能逆变器等对能效要求极高的场合。
　　另一个关键特性是其优异的开关性能。PH100S280-28具有较低的输入和输出电容，结合较小的反向恢复电荷，能够实现快速的开关动作，减少开关过程中的能量损耗。这对于高频PWM控制的应用尤为重要，例如伺服驱动器和UPS不间断电源系统。快速开关还能减小滤波元件的体积，从而缩小整体电源系统的尺寸。器件内部经过优化的引线布局和封装结构有效抑制了寄生电感，避免了在高速开关时产生过高的电压尖峰，提升了系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　热管理方面，PH100S280-28采用高导热陶瓷基板和铜底板设计，确保热量能够迅速从芯片传导至外部散热器。其最大工作结温可达+175°C，表明其具备出色的耐高温能力，适合在恶劣环境下长时间运行。模块还具备良好的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下吸收一定的能量而不损坏，增强了系统的鲁棒性。此外，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反偏（HTRB）、高温栅极偏置（HTGB）和温度循环测试，确保在工业级应用中的长期稳定性。
　　安全性与保护机制也是该模块的重要特点。内置的静电放电（ESD）保护结构可防止制造和装配过程中因静电导致的损伤。同时，其栅极氧化层经过强化处理，提升了对过压脉冲的耐受能力。整体模块设计符合国际安全标准，支持多种保护电路集成，如过流、过温及短路保护，进一步保障了系统的安全运行。

PH100S280-28广泛应用于各类高功率电力电子设备中。在工业电机驱动领域，它常用于三相逆变器桥臂中作为主开关元件，配合驱动IC实现精确的PWM控制，驱动交流异步电机或永磁同步电机，适用于数控机床、电梯、风机和泵类控制系统。由于其高电流能力和快速响应特性，能够在启停频繁、负载变化剧烈的工况下保持稳定运行。
　　在新能源领域，该模块被广泛应用于光伏逆变器和储能系统中的DC-AC转换环节。其高效率和低损耗特性有助于提升太阳能发电系统的整体转化效率，尤其在集中式或组串式逆变器中发挥重要作用。同时，在电动汽车充电设施中，PH100S280-28可用于车载充电机（OBC）或直流快充模块的功率级设计，满足高功率密度和高可靠性的需求。
　　通信电源和服务器电源系统也大量采用此类高功率MOSFET模块。在48V转12V或更低电压的DC-DC变换器中，PH100S280-28可作为同步整流管或主开关管使用，显著降低导通压降，提高电源转换效率，帮助数据中心实现节能降耗的目标。
　　此外，该器件还适用于感应加热设备、焊接电源、不间断电源（UPS）和高压直流输电（HVDC）辅助电源等场景。其宽泛的工作温度范围和坚固的封装结构使其能在高温、高湿、强振动等恶劣工业环境中长期稳定工作，是现代电力电子系统中不可或缺的关键元器件之一。

IRFP4668PbF
　　STP100N28F7
　　FQP28N10
　　AOT28N10