时间：2025/8/14 17:44:32
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PG5407是一种广泛应用于电源管理领域的功率晶体管，通常采用TO-220或DPAK封装形式。它是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高电流和高电压的应用场景。PG5407以其高效率、低导通电阻和良好的热性能而著称，是许多电源转换和开关应用中的首选元件。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：56A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：约0.036Ω（典型值）
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装形式：TO-220、DPAK
功率耗散（PD）：150W（最大值）
PG5407具有多个显著的电气和热性能优势。首先，其低导通电阻（RDS(on)）可以显著降低导通损耗，提高整体系统效率。其次，PG5407支持高达56A的漏极电流，使其适用于高电流负载的应用，例如电机驱动和电源转换器。此外，该器件的耐压能力达到100V，可以在多种高压应用中稳定工作。PG5407还具备良好的热管理能力，能够在较高的环境温度下保持稳定运行。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，使其适用于多种驱动电路设计。PG5407的快速开关特性也使其在高频开关电源中表现出色，有助于减小电源电路的体积和提高响应速度。
PG5407广泛应用于各种电源管理系统和开关电路中。常见的应用包括DC-DC转换器、电机控制器、负载开关、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统。在电源转换器中，PG5407可以作为主开关元件，实现高效的能量转换。在电机控制应用中，它可以用于调节电机的速度和方向。此外，PG5407也常用于高电流负载的切换控制，例如LED照明系统、电热器和继电器替代方案。
IRF540N、FDP5407、FQP5407、SiHH5407、IPD5407
