类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：最大40V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　漏极连续电流（Id）：最大14A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻（Rds(on)）：约4.5mΩ（典型值，具体取决于栅极电压）
　　功率耗散（Pd）：最大35W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-252（DPAK）

PG5404的主要特性包括低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统的整体效率。由于其低Rds(on)，该MOSFET在高电流应用中表现出色，能够承受较大的负载电流而不导致过热或性能下降。此外，PG5404具有较高的热稳定性，能够承受较大的功率耗散，适用于高负载环境。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，这使得它能够与多种控制电路兼容。PG5404还具有快速开关特性，减少了开关损耗，使其适用于高频开关应用，如DC-DC转换器和同步整流器。
　　从封装角度来看，PG5404采用TO-252封装，具有良好的热管理和电气性能，便于表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产和大批量制造。这种封装形式也提供了良好的散热能力，有助于提高器件的可靠性和寿命。

PG5404常用于电源管理应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC降压/升压转换器、电池充电器和负载开关。在电机控制和驱动电路中，PG5404可用于高效地控制电机的运行，特别是在需要高电流和高效率的场合。此外，该器件也适用于逆变器、UPS（不间断电源）和工业自动化设备中的功率控制部分。
　　由于其优异的电气特性和封装设计，PG5404也广泛应用于消费类电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能电源管理系统。在这些应用中，PG5404可以作为主开关器件，提供高效的能量传输和稳定的系统性能。

常见的替代型号包括IRLZ44N、STP16NF06、FDP6030L和Si4410BDY。这些MOSFET器件在性能和封装上与PG5404相似，可根据具体应用需求选择合适的替代品。