时间：2025/6/23 11:15:32
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PG24EBUSC 是一种高性能的功率场效应晶体管（MOSFET），广泛应用于需要高效率和低功耗的电子电路中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和出色的热稳定性，适用于开关电源、电机驱动、负载切换等应用领域。
PG24EBUSC 的设计使其能够在高频条件下保持高效的性能，同时具备较高的耐用性和可靠性。其封装形式通常为表面贴装类型，便于自动化生产和安装。
最大漏源电压：60V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：30A
导通电阻：1.5mΩ
总栅极电荷：85nC
输入电容：1970pF
工作温度范围：-55°C 至 175°C
PG24EBUSC 具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够显著降低功率损耗。
2. 高速开关能力，支持高频应用。
3. 内置反向二极管，有助于保护电路免受反向电流影响。
4. 良好的热性能，可有效散热并提升系统可靠性。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
6. 小型化封装设计，适合空间受限的应用场景。
PG24EBUSC 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源（SMPS）
2. DC/DC 转换器
3. 电机驱动和控制
4. 电池管理与保护
5. 工业自动化设备
6. 汽车电子系统中的负载切换
7. 通信设备中的高效功率IRF2402, AON7502, STP30NF06LC
