PG158R 是一款广泛应用于电源管理领域的电子元器件芯片,属于功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)类别。该器件以其高效率、低导通电阻和良好的热稳定性而闻名,适用于需要高功率密度和可靠性的应用场合。PG158R 通常采用TO-220或D2PAK等封装形式,便于散热和安装。
类型:N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds):600V
最大漏极电流(Id):18A
导通电阻(Rds(on)):0.24Ω
最大功耗(Ptot):50W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
栅极电荷(Qg):34nC
封装类型:TO-220
PG158R 的主要特性包括其高耐压能力和较大的漏极电流容量,使其适用于高功率开关应用。其低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗,提高了整体效率。此外,该器件的热稳定性优异,能够在高温环境下稳定运行,减少了对额外散热措施的依赖。
这款MOSFET还具备快速开关特性,降低了开关损耗,从而提高了系统的整体能效。PG158R 的设计使其适用于多种电源管理应用,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机驱动和照明控制等。
在制造工艺方面,PG158R 采用了先进的平面技术,确保了器件的可靠性和一致性。其封装设计有助于快速散热,延长了器件的使用寿命并提高了系统稳定性。
PG158R 被广泛应用于多个领域,包括工业电源系统、电动汽车充电设备、LED照明驱动器、家电控制模块以及电机控制电路。由于其高功率处理能力和优良的开关性能,它也常用于高频开关电源和逆变器中,为这些设备提供高效的功率转换解决方案。
在开关电源(SMPS)中,PG158R 用于实现高效的能量转换和电压调节。在电机驱动应用中,它可以作为功率开关元件,控制电机的启停和转速。此外,该器件还适用于LED照明驱动器,帮助实现稳定的电流控制和高效率的光输出。
IRFZ44N, STP18NF60, FDPF18N60