PG05TAVSM 时间：2025/9/11 16:50:57 阅读：10

PG05TAVSM 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻和高可靠性。PG05TAVSM 通常用于负载开关、电源转换器、电池管理系统以及工业控制电路等场景。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：-5A
　　最大漏源电压（VDS）：-20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：35mΩ @ VGS = -4.5V，50mΩ @ VGS = -2.5V
　　栅极电荷（Qg）：8.2nC @ VGS = -10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：TSOP-6L

特性

PG05TAVSM 的核心优势在于其优异的导通性能和高效的开关特性。其低导通电阻（RDS(on)）有助于减少功率损耗，提高系统效率，同时降低发热，提升整体可靠性。
　　该器件采用先进的沟槽栅技术，使得在低栅极电压下也能实现良好的导通性能，适用于电池供电设备等对功耗敏感的应用场景。
　　PG05TAVSM 具有较高的热稳定性，能够在高温环境下稳定运行，适合工业级应用需求。
　　此外，其封装形式为 TSOP-6L，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用，并具备良好的散热性能。
　　该 MOSFET 还具备较强的抗静电能力（ESD）和过载能力，提升了器件在复杂电磁环境中的稳定性与安全性。

应用

PG05TAVSM 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
　　1. 便携式电子设备中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
　　2. 电池管理系统（BMS），用于控制电池的充放电过程。
　　3. DC-DC 转换器和同步整流电路，实现高效的电压转换。
　　4. 工业控制系统中的负载开关，用于控制电机、LED 照明或其他高功率设备的启停。
　　5. 电源管理模块，如电源适配器、不间断电源（UPS）和电源分配单元（PDU）。