时间：2025/9/12 14:52:13
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PG05GBUSV-RTK/P 是一款由 STMicroelectronics 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件设计用于在高效率电源管理应用中提供卓越的性能，特别是在需要高可靠性和稳定性的工业和消费类电子产品中。PG05GBUSV-RTK/P 采用先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻和高开关速度，适用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源管理系统。
类型：P 沟道 MOSFET
漏极电流 (Id)：5A
漏源电压 (Vds)：30V
栅源电压 (Vgs)：±20V
导通电阻 (Rds(on))：0.15Ω @ Vgs = 10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：TO-252 (DPAK)
功率耗散 (Ptot)：2.5W
PG05GBUSV-RTK/P 具备多项优异特性，使其在各种功率管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为 0.15Ω，确保在高电流条件下仍然保持较低的功率损耗，从而提高系统效率。此外，该 MOSFET 的最大漏源电压为 30V，能够在较宽的电压范围内稳定运行，适用于多种电源转换拓扑结构，如同步整流、负载开关和电机控制电路。
该器件的栅源电压范围为 ±20V，具有较高的抗过压能力，同时确保在高频率开关操作中保持稳定性。PG05GBUSV-RTK/P 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，进一步优化了开关特性和导通损耗，使其在高频率应用中表现优异。其 TO-252 (DPAK) 封装形式不仅具备良好的热性能，还支持表面贴装工艺，适用于自动化生产流程。
此外，该 MOSFET 在 -55°C 至 150°C 的宽温度范围内正常工作，满足严苛的工业环境要求。最大功率耗散为 2.5W，确保在高负载条件下依然保持稳定性能。PG05GBUSV-RTK/P 还具备较高的抗静电能力（ESD），提升了器件在复杂电磁环境下的可靠性。
PG05GBUSV-RTK/P 广泛应用于多种电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的电源管理领域。常见的应用包括 DC-DC 转换器、电池管理系统、电机驱动器、电源负载开关以及工业自动化设备中的功率控制模块。其低导通电阻和高开关速度使其在同步整流电路中表现优异，能够有效提高转换效率并减少热量产生。
在消费类电子产品中，PG05GBUSV-RTK/P 常用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理系统，确保设备在不同负载条件下都能保持稳定的供电。此外，它也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电动工具和车载信息娱乐系统，以提供高效的功率控制解决方案。
由于其封装形式支持表面贴装技术（SMT），该器件在现代自动化生产线上具有良好的兼容性，适合大批量制造和高密度 PCB 设计。其宽工作温度范围也使其在户外和工业环境中具备更高的可靠性。
Si2301DS, IRML2803, FDN340P, NDS355AN, AO3401A
