PG05EAVSM 时间：2025/9/11 11:04:44 阅读：14

PG05EAVSM 是一款由 STMicroelectronics 生产的 P 沟道增强型功率 MOSFET，广泛用于负载开关、DC-DC 转换器和电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，具有低导通电阻和高效率的特性。PG05EAVSM 采用紧凑型 SOT-223 封装，适用于需要高功率密度和高效能的电源设计。

参数

类型：P 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流 (Id)：5 A
　　最大漏源电压 (Vds)：20 V
　　最大栅源电压 (Vgs)：±12 V
　　导通电阻 (Rds(on))：0.135 Ω @ Vgs = 4.5 V
　　栅极电荷 (Qg)：7.5 nC @ Vgs = 10 V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装：SOT-223

特性

PG05EAVSM 具有低导通电阻的特性，使其在导通状态下具有较低的功率损耗，提高了整体系统的效率。该器件的导通电阻典型值为 0.135 Ω，确保在高电流条件下仍能保持良好的热性能。此外，PG05EAVSM 采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了优异的开关性能和稳定的工作表现。其低栅极电荷（Qg）值减少了开关过程中的能量损耗，使得该器件适用于高频开关应用。PG05EAVSM 的 SOT-223 封装不仅提供了良好的热管理能力，还节省了 PCB 空间，适合高密度电路设计。
　　该器件还具有良好的抗雪崩能力，能够在瞬态条件下保持稳定运行。其栅极氧化层设计增强了器件的耐用性，防止因过高的栅源电压而导致的损坏。PG05EAVSM 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。此外，该 MOSFET 的漏极和源极之间具有较高的击穿电压（20 V），能够承受较高的电压应力，从而提高了系统的可靠性和稳定性。

应用

PG05EAVSM 常用于各种电源管理和功率转换应用，包括负载开关、同步整流器、DC-DC 转换器以及电池供电设备中的功率控制电路。在负载开关应用中，PG05EAVSM 可用于控制电源路径，实现快速的开关操作并减少静态电流消耗。在 DC-DC 转换器中，该器件可用于同步整流拓扑，提高转换效率并降低功耗。由于其低导通电阻和高效率的特性，PG05EAVSM 特别适合用于需要高效能和高功率密度的电源设计。此外，该 MOSFET 还适用于工业自动化设备、嵌入式系统、手持设备和汽车电子系统中的功率管理模块。