时间：2025/12/28 15:27:47
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PG05BAUSM 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的 P 沟道功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、电池供电设备以及需要高效率和低导通电阻的场合。PG05BAUSM 采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻、高耐压能力和良好的热稳定性。其封装形式为 DFN5（5引脚双扁平无引脚封装），有助于实现高功率密度和小型化设计。
类型：P 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：-20V
栅源电压（VGS）：±12V
连续漏极电流（ID）：-5.5A
导通电阻（RDS(on)）：@ VGS = 4.5V, ID = 2.75A 时为 26mΩ；@ VGS = 2.5V, ID = 2.2A 时为 34mΩ
功率耗散（PD）：3.5W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装：DFN5（5引脚，无铅封装）
PG05BAUSM 的核心优势在于其出色的导通性能与封装设计。由于采用了先进的沟槽栅技术，该 MOSFET 在低 VGS 电压下仍能保持较低的 RDS(on)，这使得它非常适合用于电池供电设备或由低压控制器驱动的应用。其 RDS(on) 最低可达到 26mΩ（在 VGS = 4.5V 时），从而显著降低导通损耗，提高整体系统效率。
PG05BAUSM 具有良好的热性能，DFN5 封装具备优异的热传导能力，能够在高电流负载下有效散热，确保器件在高功率应用中的稳定性与可靠性。此外，DFN5 封装尺寸小巧，适合空间受限的设计，有助于实现小型化和轻量化电子产品。
该器件的栅极驱动电压范围较宽（±12V），支持从 2.5V 至 4.5V 的工作电压，因此可与多种类型的控制器和驱动电路兼容，包括低电压微控制器。这种灵活性使其在多种电源管理应用中具有很高的适应性。
PG05BAUSM 还具备出色的耐用性和抗静电能力，符合工业标准的 ESD 保护等级，能够在恶劣环境中稳定工作。其内部结构设计优化，降低了寄生电容和开关损耗，从而提高了开关速度和效率，适用于高频开关应用。
综上所述，PG05BAUSM 凭借其低导通电阻、高效率、小封装、宽栅极电压范围和良好的热管理能力，成为众多高性能电源管理应用的理想选择。
PG05BAUSM 常用于各类电源管理系统，包括电池供电设备、DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器、电压调节器以及便携式电子设备中的功率控制模块。其高效率和小尺寸特性使其特别适合于智能手机、平板电脑、可穿戴设备、工业自动化设备和汽车电子系统中的应用。此外，在电机控制、LED 驱动、电源管理 IC（PMIC）配套电路以及高效率电源适配器中也有广泛应用。
Si2305DS, AO4406A, FDC6303, FDMS3602
