类型：SiC MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　最大漏极电流（ID）：30A
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ
　　封装类型：TO-247
　　栅极电荷（Qg）：65nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　短路耐受能力：有

PFR30L30CTF 的核心优势在于其采用碳化硅材料制造，这使得它相比传统的硅基MOSFET具备更高的效率和更优异的热性能。其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通损耗，从而提高了系统整体的能效。
　　此外，该器件具有较高的击穿电压（650V），能够在高电压环境中稳定工作。同时，由于SiC材料的特性，PFR30L30CTF 在高频开关应用中表现优异，降低了开关损耗并提高了系统的功率密度。
　　该MOSFET还具备良好的热导率和耐高温能力，可在高温环境下持续运行，减少了对散热系统的依赖。此外，其内置的短路保护能力提升了器件在恶劣工作条件下的可靠性和稳定性。
　　最后，PFR30L30CTF 采用TO-247封装，具备良好的机械稳定性和易于安装的特点，适用于多种工业和汽车应用。

PFR30L30CTF 主要应用于需要高效率、高功率密度和高频开关能力的电力电子系统中。典型应用包括电动汽车充电器、车载充电系统（OBC）、太阳能逆变器、储能系统、工业电源模块、服务器电源、不间断电源（UPS）以及电机驱动器。
　　在电动汽车领域，该MOSFET可用于车载充电器和DC-DC转换器，提升充电效率并减少热量产生。在可再生能源系统中，如太阳能逆变器，PFR30L30CTF 可实现更高的转换效率和更紧凑的设计。
　　此外，该器件也适用于需要快速开关和高可靠性的工业自动化设备和电力控制系统。由于其优异的热性能和耐用性，PFR30L30CTF 在高要求的汽车电子和工业应用中具有广泛的应用前景。

SCT30N65G2AG, C3M003265J, SCT3040KL, SiC MOSFET 650V 30A 系列