时间：2025/8/7 1:36:16
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PFP5N50是一种功率场效应晶体管（Power MOSFET），广泛用于高电压和高电流的开关应用中。该器件基于N沟道增强型技术设计，具有较高的耐压能力与导通性能，适用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各类功率电子系统。PFP5N50的封装形式通常是TO-220或TO-263（D2PAK），具备良好的散热能力和机械稳定性。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压（Vds）：500V
连续漏极电流（Id）：5A（在25℃时）
栅源电压（Vgs）：±30V
导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（最大值）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-220、TO-263（D2PAK）
PFP5N50 MOSFET具有多个关键特性，使其在各种功率应用中表现优异。首先，其高耐压能力（500V）使其适用于高压电源和工业控制系统。其次，尽管其导通电阻相对较高（约为1.2Ω），但其价格低廉且易于驱动，非常适合中低功率应用。此外，PFP5N50具备良好的热稳定性和过载能力，能够在较高温度下可靠运行。该器件还具备快速开关特性，有助于减少开关损耗，提高整体系统效率。最后，PFP5N50的封装设计提供了良好的散热性能，使其能够承受一定的功率耗散。综合来看，PFP5N50是一款性价比高、可靠性强的功率MOSFET，适用于多种通用和工业级应用场景。
PFP5N50 MOSFET广泛应用于多种功率电子系统，包括但不限于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的高压侧开关元件
2. 电机驱动和控制电路
3. DC-DC转换器和Boost电路
4. 电池管理系统和充电器控制
5. 工业自动化和控制设备
6. 家用电器中的功率控制模块
7. LED照明驱动电路
8. 逆变器和UPS系统
9. 电磁炉和其他高功率消费类电子产品
FQP5N50、IRF5N50、STP5NK50Z、2SK2225、2SK1532
