时间：2025/12/25 7:31:41
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PFP-100N是一款由STMicroelectronics生产的N沟道增强型功率MOSFET，广泛用于需要高效功率转换和控制的电子设备中。该器件采用先进的技术制造，具有低导通电阻、高电流容量和快速开关特性，适用于电源管理、电机控制和负载开关等多种应用场景。
类型：N沟道MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大漏极电流(Id)：80A
导通电阻(Rds(on))：12mΩ
栅极电荷(Qg)：220nC
工作温度范围：-55°C至175°C
PFP-100N具有极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。其高电流容量和耐压能力使其适用于高功率密度设计。此外，该MOSFET具备快速开关特性，可以减少开关损耗并提高系统的响应速度。PFP-100N还采用了先进的封装技术，具有良好的热管理和散热性能，适用于高可靠性要求的应用。此外，该器件的栅极电荷较低，使其在高频开关应用中表现出色，减少了驱动电路的负担。
应用方面，PFP-100N常用于DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、负载开关和电池管理系统中。其高性能和可靠性也使其适用于工业自动化、汽车电子和消费类电子产品中的功率控制模块。
PFP-100N适用于多种功率电子应用，包括但不限于：电源管理单元中的DC-DC转换器、同步整流电路、电机驱动器、负载开关、电池管理系统以及工业自动化和汽车电子中的功率控制模块。
STP80NF10, IRF1405, FDP80N10
