时间：2025/8/7 3:42:03
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PFF13N60 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）生产的N沟道增强型功率MOSFET，适用于高电压和高电流的应用场景。这款MOSFET的漏源击穿电压为600V，最大漏极电流为13A，适用于需要高效能功率转换的工业设备和电力电子系统。
类型：N沟道
漏源电压（VDS）：600V
栅源电压（VGS）：±20V
最大漏极电流（ID）：13A
导通电阻（RDS(on)）：0.45Ω（典型值）
功率耗散（PD）：50W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
PFF13N60具有低导通电阻，这使得它在导通状态下能够显著降低功率损耗，提高系统的整体效率。
该器件的高耐压特性使其能够承受较大的电压应力，适用于高压环境下的应用。
此外，PFF13N60采用了先进的平面工艺技术，确保了器件在高温下的稳定性和可靠性。
其封装形式为TO-220，便于散热和安装，适用于多种功率电路的设计。
PFF13N60广泛应用于电源管理、开关电源（SMPS）、逆变器、马达控制、工业自动化设备和照明系统等场景。
在开关电源设计中，PFF13N60用于主开关器件，以实现高效的电能转换。
在逆变器系统中，该MOSFET可用于DC-AC转换，支持太阳能逆变器和UPS系统等应用。
此外，PFF13N60也适用于马达控制电路，为电机驱动提供高效的功率开关解决方案。
STF13N60M, FDPF13N60, FQP13N60
