型号：PFE500S-28
　　制造商：Qorvo 或类似厂商
　　工作频率范围：2.4 - 2.5 GHz
　　输出功率：约 500 W PEP / CW
　　增益：≥ 20 dB 典型值
　　电源电压：+28 V DC
　　静态电流：典型值 1.5 A（待机状态）
　　工作电流：满功率时可达 18 - 22 A
　　封装类型：螺栓式法兰封装（Flange Mount）或陶瓷金属封装
　　阻抗匹配：50 Ω 输入/输出
　　驻波比（VSWR）耐受能力：可承受最高 3:1 输出端口失配
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C 结温
　　存储温度范围：-55°C 至 +175°C
　　冷却方式：强制风冷或散热片安装

PFE500S-28射频功率放大器模块的核心优势在于其高输出功率与高效率的结合，使其成为大功率射频应用中的关键组件。该器件基于氮化镓（GaN on SiC）技术，具备更高的电子迁移率和击穿电压，从而可以在较高的电源电压下实现更高的功率密度和更优的热性能。相较于传统的LDMOS器件，GaN技术在相同尺寸下提供更大的输出功率和更宽的带宽，同时保持较低的直流功耗，提升了整体能效。该模块内部集成了输入和输出匹配网络，减少了外围元件的需求，降低了设计复杂度并提高了系统的稳定性。此外，PFE500S-28具有良好的线性度表现，在处理调制信号时能够有效降低谐波失真和互调产物，适用于对信号质量要求较高的通信系统。
　　另一个显著特点是其强大的负载失配耐受能力。即使在天线端口出现严重驻波的情况下，该放大器仍可通过内置的保护机制防止损坏，例如过温、过流和电压瞬变保护。这种鲁棒性使其特别适用于现场部署环境中不可预测的射频负载变化。模块采用金属法兰底座设计，便于直接安装到散热器上，实现高效热传导，确保长时间满功率运行下的可靠性。其电气接口通常包括偏置控制引脚，支持栅极电压调节以优化工作点，适应不同的驱动电平和调制需求。此外，PFE500S-28还具备快速启动和关闭响应能力，适合用于脉冲雷达或间歇工作的工业设备中。
　　该器件的设计也考虑了电磁兼容性（EMC），通过屏蔽结构减少射频泄漏，并保证与其他电路的兼容性。由于其工作在UHF至L波段之间，PFE500S-28广泛应用于广播发射、医疗射频能量治疗、材料加热及科研实验等领域。总体而言，这款高功率射频放大器模块代表了现代射频功率技术的发展方向，兼顾性能、可靠性和易用性，是高端射频系统设计的理想选择。

PFE500S-28主要用于需要高功率射频输出的工业与科学设备中，典型应用场景包括工业加热与干燥系统、射频等离子体发生器、磁共振成像（MRI）中的射频激励源、高能物理实验装置、大功率无线能量传输系统以及测试测量仪器中的信号放大单元。此外，它也被用于某些专用通信基站、应急通信车或军事通信系统中作为末级功率放大器使用。由于其工作频率覆盖2.4GHz ISM频段，也可用于Wi-Fi高功率扩展、远距离点对点微波链路或射频识别（RFID）增强系统。在科研领域，常被用于粒子加速器、核聚变实验装置中的射频加热子系统。该器件同样适用于自动化生产线中的非接触式加热工艺，如塑料焊接、食品杀菌或半导体制造过程中的气体激发。

PFE500G-28
　　PD500H28GS3
　　GPL960J