时间：2025/12/3 16:54:27
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PFE1000F-28是一款由Power Integrations公司生产的高集成度、高性能的离线式开关电源（SMPS）控制芯片，专为反激式变换器拓扑设计，适用于宽输入电压范围的应用场景。该器件集成了高压功率MOSFET和先进的控制电路，支持准谐振（Quasi-Resonant, QR）工作模式，能够在全负载范围内实现高效率和低电磁干扰（EMI）。PFE1000F-28采用增强型InnoSwitch架构，内置同步整流控制器和次级侧反馈机制，通过FluxLink?技术实现隔离式数字通信，无需光耦即可完成精确的输出电压和电流调节，提高了系统的可靠性和稳定性。该芯片广泛应用于工业电源、家电、网络设备以及需要高能效和紧凑设计的AC-DC转换场合。其封装形式为InSOP-24D，具备良好的热性能和电气隔离能力，适合在严苛环境下稳定运行。
工作输入电压范围：85 VAC 至 265 VAC
输出功率能力：最高可达100 W
集成MOSFET耐压：750 V
开关频率：30 kHz 至 132 kHz
控制模式：准谐振（QR）/CCM/DCM自适应
反馈机制：FluxLink?磁感应数字通信
启动时间：典型值小于1秒
空载功耗：< 30 mW
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装类型：InSOP-24D
保护功能：过温保护、过流保护、过压保护、开环保护、短路保护
同步整流支持：支持次级侧同步整流驱动
待机效率：满足Energy Star和DoE VI标准
PFE1000F-28的核心优势在于其高度集成化设计与先进的控制算法结合，显著提升了电源系统的整体性能。该芯片采用InnoSwitch3-Pro系列架构，具备多模式准谐振控制能力，可根据负载条件自动切换工作模式，在轻载时进入跳频模式以降低开关损耗，提升能效；在中高负载下则利用准谐振零电压开关（ZVS）技术减少开通损耗，从而在整个负载范围内维持高效运行。其内置的750V PowiGaN?功率MOSFET采用了氮化镓（GaN）材料，相比传统硅基MOSFET具有更低的导通电阻和开关损耗，允许更高的开关频率和更小的磁性元件尺寸，有助于实现更高功率密度的设计。
此外，PFE1000F-28通过FluxLink?双向磁感应通信技术实现了初级侧与次级侧之间的高速、安全隔离信号传输，不仅省去了传统光耦及其外围偏置电路，还提供了更快的动态响应速度和更高的长期可靠性。这种无光耦设计避免了光耦老化导致的性能下降问题，特别适合对寿命要求高的工业和医疗应用。芯片内部集成了完整的保护机制，包括过温、过流、过压、欠压锁定及输出短路保护，并支持自动恢复或锁存模式，增强了系统安全性。其可编程的恒压（CV）与恒流（CC）控制曲线可通过外部电阻进行精确设定，适用于多种输出规格需求。得益于先进的热管理设计，即使在高温环境下也能保持稳定工作，适用于封闭式或通风不良的应用场景。
PFE1000F-28适用于多种中等功率AC-DC电源应用，尤其适合对效率、可靠性和空间布局有严格要求的工业和消费类电子产品。典型应用包括工业自动化设备中的辅助电源、PLC电源模块、智能电表、HVAC控制系统、家用电器如洗衣机和空调的主控电源、网络通信设备如路由器和交换机的内置电源、LED照明驱动电源以及医疗仪器中的隔离电源模块。由于其支持宽输入电压范围和高效率表现，该芯片也常用于全球通用输入的电源适配器和充电器设计中，能够满足IEC 61000-3-2谐波电流限制标准以及能源之星（Energy Star）、欧盟CoC Tier 2等能效规范。此外，其出色的动态负载响应能力和低待机功耗特性使其非常适合待机电源或主副轨供电系统，在待机状态下仍能保持极低能耗，符合现代绿色节能趋势。在恶劣环境下的长期稳定运行能力也使其成为户外设备和工业现场仪表的理想选择。
INN3270C, INN3370C, PFS7622A
