PFB9N70 时间：2025/8/6 19:54:43 阅读：32

PFB9N70是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的平面工艺制造，具有高耐压、低导通电阻和优良的热稳定性。PFB9N70适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关以及电机控制等多种高功率应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：700V
　　最大漏极电流(ID)：9A（连续）
　　导通电阻(RDS(on))：约0.85Ω（典型值，VGS=10V）
　　栅极阈值电压(VGS(th))：2V~4V
　　最大功耗(PD)：125W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK等

特性

PFB9N70具备多个显著的电气和热性能优势。首先，其700V的漏源击穿电压使其能够适应高电压应用环境，适用于AC-DC电源转换器中的主开关器件。其次，该MOSFET的导通电阻较低，典型值约为0.85Ω，有效降低导通损耗，提高系统效率。
　　此外，PFB9N70具有良好的热稳定性，能够在较高温度下稳定工作，适用于对散热要求较高的应用场景。其最大功耗为125W，支持较高的负载能力。栅极阈值电压在2V到4V之间，适用于常见的驱动电路设计，兼容多种控制IC。
　　该器件还具备较高的抗雪崩能力和过载保护能力，提高了整体系统的可靠性和耐用性。结合其TO-220或D2PAK的封装形式，PFB9N70具备良好的散热性能，适用于需要较高功率密度的设计。

应用

PFB9N70广泛应用于各类电源管理系统和功率电子设备中。常见应用包括开关电源（SMPS）、离线式AC-DC转换器、LED驱动电源、电机控制电路、电池充电器以及负载开关电路等。
　　在开关电源中，PFB9N70作为主开关管使用，其高耐压和低导通电阻特性有助于提高转换效率并减少发热。在DC-DC转换器中，该器件可用于升压（Boost）或降压（Buck）电路，实现高效能的能量转换。
　　此外，PFB9N70也适用于工业自动化设备、家电控制板、电动车充电模块等对功率开关性能有较高要求的应用场景。