时间：2025/8/1 19:41:56
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PFB4N60是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），通常用于电源管理和功率转换应用。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻和高开关性能，适用于各种高效率电源系统。
类型：N沟道
最大漏极电流：4A
最大漏源电压：600V
最大栅源电压：±30V
导通电阻：约1.8Ω（典型值）
最大功耗：50W
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：TO-220、DPAK（取决于具体制造商）
PFB4N60具有低导通电阻，使其在导通状态下损耗较低，提高了整体效率。
该器件的高耐压能力（600V）使其适用于高电压环境下的开关操作。
其高栅极电压耐受能力（±30V）增加了设计灵活性，允许使用更广泛的驱动电路。
热稳定性良好，能够在高温环境下保持稳定工作。
封装形式通常包括TO-220和DPAK，适用于不同的PCB布局需求。
此外，PFB4N60具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源应用。
PFB4N60广泛应用于各类电源系统中，如AC-DC适配器、开关电源（SMPS）、LED驱动器和电机控制电路。
它也可用于逆变器、DC-DC转换器以及电池充电器等设备中的功率开关。
由于其高耐压和良好的热性能，该MOSFET在工业控制、消费电子产品和电源管理系统中非常常见。
此外，PFB4N60还可用于负载开关、电源管理模块以及需要高效功率控制的场合。
FQP4N60、IRF4N60、STP4N60、FGP4N60、PFA4N60
