型号：PF48F4400L0YBP0
　　制造商：Power Integrations
　　封装类型：Y package (eSIP)
　　引脚数：7
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　最大结温：150°C
　　供电电压范围：典型9 V 至 21 V
　　启动电流：< 5 μA
　　空载输入功率：< 30 mW
　　控制模式：多模式准谐振反激控制
　　开关频率：30 kHz 至 132 kHz（可变）
　　调制方式：准谐振（QR）、CCM/DCM自适应
　　集成MOSFET：否（需外接）
　　反馈类型：次级侧光耦反馈
　　保护功能：过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）、开环保护
　　认证：符合IEC 62368-1安全标准，支持DoE Level VI能效要求

PF48F4400L0YBP0采用多模式控制策略，能够根据负载条件自动切换工作模式以优化效率与噪声表现。在重载或中等负载时，芯片进入准谐振（QR）模式，利用谷底开关技术使功率MOSFET在漏源电压最低点导通，显著降低开关损耗，提升转换效率并减少发热。随着负载下降，系统平滑过渡到断续导电模式（DCM）或临界导电模式（BCM），并在轻载时启用频率折返机制，逐步降低开关频率以维持高效率。当负载进一步降低至极低水平时，芯片进入突发模式（Burst Mode），周期性地开启和关闭PWM操作，大幅削减待机功耗，实现低于30mW的空载输入功率，满足最严苛的绿色能源标准。
　　该芯片具备精确的电流限制和负载调整率控制能力，通过初级侧感应技术实现输出电压的稳定调节，无需次级侧TL431基准源即可完成闭环控制，从而节省元件成本和PCB空间。其内置的软启动功能可防止启动过程中出现电流冲击，延长系统寿命。动态响应速度快，能迅速应对负载突变，保持输出电压稳定。此外，PF48F4400L0YBP0集成了先进的EMI抑制技术，包括软栅极驱动、频率抖动（Frequency Jittering）等功能，有效分散辐射能量，降低峰值EMI噪声，有助于通过CISPR 32、EN 55022等电磁兼容性认证。
　　芯片采用高压BiCMOS工艺制造，具备优异的热稳定性和长期可靠性。eSIP（enhanced Small In Package）封装形式具有良好的散热性能和爬电距离，适用于高密度、无散热片的电源设计。Y package封装支持自动插入生产线，适合大规模自动化生产。器件还具备完善的故障保护机制：过流保护采用逐周期限流方式，并带有前缘消隐（Leading Edge Blanking, LEB）以防止误触发；过压保护通过检测辅助绕组电压实现快速响应；过温保护采用内部温度传感器监测芯片温度，超温时自动关闭输出并进入锁定或重启状态；开环保护则在反馈回路失效时及时切断电源，防止输出失控造成损坏。

PF48F4400L0YBP0广泛应用于中小功率离线式开关电源中，特别适合对效率、尺寸和可靠性有较高要求的消费类电子和工业设备。典型应用场景包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑的充电器和适配器，尤其是墙插式USB PD快充电源设计；智能家居设备如路由器、网络摄像头、智能音箱的内置电源模块；家电中的辅助电源（Auxiliary Power Supply），例如电视、空调、洗衣机的待机电源部分；工业控制系统中的隔离电源、PLC模块供电、传感器供电单元等。由于其高集成度和优异的能效表现，该芯片也常用于满足国际环保法规要求的绿色电子产品设计，如符合能源之星（Energy Star）、欧盟生态设计指令（Ecodesign Directive）的产品。此外，因其具备良好的EMI性能和稳定性，PF48F4400L0YBP0也被用于医疗设备、测试仪器等对电源质量要求较高的领域，作为隔离型DC-DC或AC-DC转换器的核心控制单元。

INN3670CQ\nINN3673CQ\nSC1933C