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PF2015UDF8B-RTK/P 发布时间 时间:2025/6/4 1:32:07 查看 阅读:3

PF2015UDF8B-RTK/P 是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),采用先进的半导体制造工艺,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能,能够有效提升系统的效率与可靠性。
  这款功率MOSFET基于N沟道增强型设计,支持高频率操作并具备良好的电气特性,适用于多种工业及消费类电子设备。

参数

型号:PF2015UDF8B-RTK/P
  类型:N-Channel Power MOSFET
  额定电压(Vds):60V
  额定电流(Id):120A
  导通电阻(Rds(on)):3.5mΩ(典型值)
  栅极电荷(Qg):40nC(最大值)
  工作温度范围(Tj):-55°C至+175°C
  封装形式:DPAK (TO-263)
  最大功耗:160W
  漏源击穿电压:65V
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2.2V至4.0V

特性

1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用场合。
  3. 良好的热稳定性,能够在极端温度条件下正常运行。
  4. 紧凑型封装设计,便于PCB布局优化。
  5. 提供过流保护和短路耐受能力,增强了产品的鲁棒性。
  6. 支持表面贴装技术(SMT),简化了生产流程并提高了组装良率。

应用

1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
  2. 直流电机驱动电路中的功率级控制。
  3. LED照明驱动器中的电流调节组件。
  4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
  5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
  6. 汽车电子中的启动马达或燃油喷射系统驱动。

替代型号

IRFZ44N
  STP120NF06L
  FDP18N06

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