时间：2025/6/4 1:32:07
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PF2015UDF8B-RTK/P 是一款高性能的功率场效应晶体管（Power MOSFET），采用先进的半导体制造工艺，广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等领域。该器件具有低导通电阻、快速开关速度以及出色的热性能，能够有效提升系统的效率与可靠性。
这款功率MOSFET基于N沟道增强型设计，支持高频率操作并具备良好的电气特性，适用于多种工业及消费类电子设备。
型号：PF2015UDF8B-RTK/P
类型：N-Channel Power MOSFET
额定电压(Vds)：60V
额定电流(Id)：120A
导通电阻(Rds(on))：3.5mΩ（典型值）
栅极电荷(Qg)：40nC（最大值）
工作温度范围(Tj)：-55°C至+175°C
封装形式：DPAK (TO-263)
最大功耗：160W
漏源击穿电压：65V
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.2V至4.0V
1. 极低的导通电阻Rds(on)，有助于减少导通损耗并提高系统效率。
2. 高速开关能力，适合高频应用场合。
3. 良好的热稳定性，能够在极端温度条件下正常运行。
4. 紧凑型封装设计，便于PCB布局优化。
5. 提供过流保护和短路耐受能力，增强了产品的鲁棒性。
6. 支持表面贴装技术(SMT)，简化了生产流程并提高了组装良率。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关元件。
2. 直流电机驱动电路中的功率级控制。
3. LED照明驱动器中的电流调节组件。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 工业自动化设备中的继电器替代方案。
6. 汽车电子中的启动马达或燃油喷射系统驱动。
IRFZ44N
STP120NF06L
FDP18N06
