封装类型：SMD/THT
　　输出功率（典型）：3.5W
　　最大工作电压：900V
　　工作频率：约 30kHz
　　启动电流：< 10μA
　　待机功耗：< 10mW
　　输出电压精度：±5%
　　工作温度范围：-40°C ~ 100°C
　　反馈方式：开/闭环可选
　　集成 MOSFET 耐压：900V

PF01411B-TB 的核心特性之一是其高度集成的设计，内部集成了一个 900V 高压 MOSFET 和完整的 PWM 控制电路，极大地简化了外围电路的设计并降低了整体成本。该芯片支持多种工作模式，包括不连续导通模式（DCM）和准谐振模式（QR），以提高转换效率并减少电磁干扰（EMI）。
　　此外，PF01411B-TB 内置了完善的保护机制，包括过载保护（OLP）、过压保护（OVP）、欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）和自动重启功能，确保系统在各种异常情况下都能安全运行。这些保护功能显著提高了系统的稳定性和可靠性，减少了外部保护元件的使用，从而进一步降低了设计复杂度和成本。
　　该芯片采用节能技术，在轻载或空载条件下可自动进入低功耗模式，显著降低待机功耗，符合国际能效标准如 Energy Star 和 DoE Level VI。这使得 PF01411B-TB 成为适用于物联网设备、智能家居产品等对能效要求较高的应用场景的理想选择。

PF01411B-TB 主要应用于低功率 AC-DC 电源转换场合，如智能手机充电器、无线耳机充电盒、蓝牙音箱、智能插座、智能灯泡、小型家电适配器以及工业传感器供电模块等。由于其高集成度、低待机功耗和优异的稳定性，该芯片也广泛用于需要符合严格能效法规的出口型电子产品设计中。此外，PF01411B-TB 还适用于需要高可靠性和宽输入电压范围的工业和消费类设备电源系统。

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　　 "PF01411B",
　　 "LNK304DN",
　　 "TNY278PN",
　　 "RDR-411B"
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