PET23235112 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等高效率功率转换场景。该器件采用先进的制造工艺,在导通电阻、开关速度和耐压能力方面表现优异。其封装形式紧凑,适合于对空间要求较高的应用场合。
该芯片属于N沟道增强型场效应晶体管,通过栅极电压控制漏极和源极之间的导通与关断,具有低导通损耗和高频率工作的特点,能够显著提升系统效率。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:40A
导通电阻:2.5mΩ
栅极电荷:75nC
开关速度:10ns
工作温度范围:-55℃至+175℃
PET23235112 具备以下主要特性:
1. 极低的导通电阻,可有效降低功耗,提高整体效率。
2. 高速开关性能,支持高频应用,减少磁性元件体积。
3. 良好的热稳定性,能够在宽温范围内可靠运行。
4. 内置ESD保护功能,增强了器件的抗静电能力。
5. 紧凑的封装设计,便于集成到小型化产品中。
6. 符合RoHS标准,环保且易于批量生产。
PET23235112 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电机驱动电路中的功率级控制。
3. DC/DC转换器及升降压模块。
4. 电动工具和家用电器中的功率输出部分。
5. 太阳能逆变器及其他新能源设备中的功率转换组件。
6. 汽车电子中的负载切换与保护电路。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5800