PESDUC2FD5VB2 是一款基于硅技术的低电容瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,专为保护高速数据线和信号线路免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他过压瞬态影响而设计。该器件具有极低的电容特性,适合用于高频应用,并提供出色的箝位性能以确保被保护电路的安全。
工作电压:5V
最大箝位电压:9.6V
峰值脉冲电流:±10A(8/20μs)
电容:0.7pF
响应时间:≤1ps
结温范围:-55℃至+150℃
封装形式:DFN1006-2
PESDUC2FD5VB2 提供卓越的 ESD 防护能力,符合 IEC 61000-4-2 国际标准(接触放电 ±15kV,空气放电 ±15kV)。其超低电容值使得该器件非常适合用于高速数据接口,例如 USB 3.0、HDMI 和 DisplayPort 等。此外,它还具备小巧的封装尺寸,便于在空间受限的应用中使用。
主要特点包括:
- 极低电容 (0.7pF),适合高速数据线
- 快速响应时间 (≤1ps)
- 符合汽车级 AEC-Q101 标准
- 工作电压精确稳定
- 小型化封装设计
- 可靠性高,适用于恶劣环境
PESDUC2FD5VB2 广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制领域中的高速数据接口保护。典型应用场景包括:
- USB 3.0/3.1 数据线防护
- HDMI 接口保护
- DisplayPort 信号防护
- 以太网 PHY 层保护
- 汽车信息娱乐系统中的信号线路防护
- 移动设备中的射频前端保护
由于其紧凑的封装和高性能指标,这款 TVS 二极管也常用于手持设备和便携式电子产品中。
PESD5V0UC2, PESD5V0UT1BA, SMAJ5.0A