时间：2025/7/9 1:01:07
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PESDNC3V3B 是一款瞬态电压抑制 (TVS) 二极管阵列，专为保护敏感的电子设备免受静电放电 (ESD) 和其他瞬态电压威胁而设计。该器件具有超低电容特性，非常适合高速数据线和高频信号应用，例如 USB、HDMI 和其他高速接口。PESDNC3V3B 提供了卓越的 ESD 防护能力，符合 IEC 61000-4-2 标准，并能够在不影响信号完整性的前提下实现高效的过压保护。
该器件采用紧凑型封装（如 SOT-23 或类似），使其能够轻松集成到各种便携式和空间受限的应用中。
工作电压：3.3V
峰值脉冲电流：±8A
钳位电压：7.5V
响应时间：<1ns
结电容：0.5pF
最大工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-23
PESDNC3V3B 的主要特性包括：
1. 超低电容（0.5pF），适合高速数据线保护。
2. 快速响应时间（<1ns），可以有效抑制快速瞬态电压。
3. 符合 IEC 61000-4-2 国际标准，接触放电 ±8kV 和空气放电 ±15kV。
4. 工作电压精确，适用于 3.3V 系统。
5. 小型化封装设计，节省 PCB 空间。
6. 单向保护结构，提供高效的 ESD 和浪涌防护。
7. 无铅环保材料，符合 RoHS 标准。
这些特性使 PESDNC3V3B 成为需要高可靠性、小尺寸和高性能保护的理想选择。
PESDNC3V3B 广泛应用于以下领域：
1. 高速数据接口保护，如 USB、HDMI、DP（DisplayPort）、MIPI 和其他差分信号线路。
2. 移动设备中的 ESD 保护，例如智能手机、平板电脑和笔记本电脑。
3. 工业控制设备中的信号线保护。
4. 汽车电子系统中的高速通信总线保护。
5. 医疗设备和其他对可靠性要求较高的应用。
PESDNC3V3B 的低电容和快速响应特性确保其在不干扰信号完整性的情况下提供可靠的保护功能。
PESD3V3BG, PESD3V3BA, SMAJ3.3A
