时间：2025/12/23 20:30:39
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PESDNC3FD5VB 是一款基于硅技术的双向静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。该器件专为高速信号线提供瞬态电压抑制保护而设计，能够有效防止因静电放电、雷击和其他电气干扰引起的损害。
此型号属于 Nexperia 公司的 PESD 系列产品，具有低电容特性，非常适合用于高频和高速数据接口。它符合 IEC 61000-4-2 国际标准，支持高达 ±15kV 的接触放电保护，确保在恶劣环境下的稳定性能。
工作电压：±5V
峰值脉冲电流：±8A
箝位电压：±9.7V
动态电阻：0.3Ω
结电容：0.3pF
响应时间：1ns
封装形式：SOT323
PESDNC3FD5VB 的主要特点是其超低电容值（仅为 0.3pF），这使其非常适合需要高数据速率的应用场景。此外，它的快速响应时间（1ns）可确保及时有效地抑制瞬态电压尖峰。器件采用小型 SOT323 封装，有助于节省 PCB 布局空间。
它能够在不显著影响信号完整性的情况下保护敏感的电子设备。同时，该型号还具备高可靠性与长寿命的优势，适用于工业级及消费级应用领域。
PESDNC3FD5VB 广泛应用于各类高速接口的 ESD 保护，例如 USB 2.0/3.0、HDMI、DisplayPort、以太网以及射频信号线路等。
此外，它还可用于手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机以及其他便携式电子设备中的数据传输端口防护，确保系统免受外部电气干扰的影响。
PESD5V0UC2, PESD5V0UT2, SMAJ5.0A
