时间：2025/12/23 17:32:23
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PESDNC3D5VB 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。该器件专为高速信号线和数据接口提供瞬态电压抑制保护而设计，适用于 USB、HDMI、以太网等高速通信接口。其超低电容特性确保了对高速信号完整性的影响最小化，同时提供了卓越的 ESD 防护能力。PESDNC3D5VB 符合 IEC 61000-4-2 国际标准，并具有双向保护功能。
工作电压：5V
峰值脉冲电流：±15A
响应时间：小于等于 1ns
结电容：0.8pF（典型值）
最大反向工作电压：5.8V
导通电压：1.5V（典型值）
封装形式：DFN1006-2
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
1. 超低结电容设计，适合高速数据线保护。
2. 快速响应时间，能够有效抑制瞬态过电压。
3. 双向保护结构，适用于多种差分信号线路。
4. 小型化封装，节省 PCB 空间。
5. 提供高达 ±15kV 的接触放电防护能力。
6. 具备良好的热稳定性和可靠性，可在恶劣环境下长期运行。
7. 符合 RoHS 和 REACH 环保标准。
PESDNC3D5VB 广泛应用于需要高性能 ESD 保护的领域，包括但不限于以下方面：
1. 消费类电子产品，例如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等。
2. 工业控制设备中的通信端口保护。
3. 高速接口如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、以太网 PHY 等。
4. 汽车电子系统中 CAN 总线、LIN 总线及其他关键数据传输线路。
5. 医疗设备和其他对信号完整性和稳定性要求较高的场合。
PESD5VN6-G, SM712, SMP series
