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PESDNC3D24VB 发布时间 时间:2025/12/23 10:13:32 查看 阅读:14

PESDNC3D24VB是一款高性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,专为保护电子设备免受静电放电(ESD)、电气快速瞬变(EFT)和其他过电压威胁而设计。该器件采用DFN封装,具有超低电容特性,适合高速信号线和高频应用。PESDNC3D24VB广泛应用于消费电子、通信设备和工业控制等领域,能够有效提高系统的可靠性和稳定性。
  这款芯片的核心功能是通过钳位瞬态高压脉冲,将过电压限制在安全范围内,从而保护敏感的下游电路。其卓越的响应速度和高浪涌电流承受能力使其成为现代电子产品中不可或缺的防护元件。

参数

工作电压:±24V
  峰值脉冲电流:5A
  钳位电压:32.6V
  结电容:0.1pF
  响应时间:1ps
  最大工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装形式:DFN3-1EP(1x1)

特性

PESDNC3D24VB具备以下主要特性:
  1. 超低电容设计,非常适合高速数据线和射频应用。
  2. 极快的响应时间,能够在纳秒级内对瞬态电压做出反应。
  3. 高度可靠的ESD防护能力,符合IEC61000-4-2国际标准(接触放电±30kV,空气放电±30kV)。
  4. 小型化封装,便于在空间受限的设计中使用。
  5. 支持宽泛的工作温度范围,适应各种恶劣环境。
  6. 符合RoHS环保标准,无铅且绿色友好。
  这些特性使得PESDNC3D24VB成为需要高性能保护解决方案的理想选择。

应用

PESDNC3D24VB适用于以下应用场景:
  1. USB接口保护,包括USB2.0、USB3.0等高速数据传输端口。
  2. HDMI、DisplayPort及其他高清视频接口的ESD防护。
  3. 移动通信设备中的天线和射频线路保护。
  4. 工业自动化系统中的传感器和控制器输入输出线路防护。
  5. 汽车电子系统中的CAN总线、LIN总线及车载娱乐系统保护。
  6. 其他需要防止静电放电和瞬态过压损坏的场合。
  其广泛的适用性源于其出色的性能指标和紧凑的外形尺寸。

替代型号

PESD3YV24VB, PESD3VD24WB, SM712

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