PESDNC2XD7VB 是一款基于氮化镓(GaN)技术的高压保护二极管阵列,专为高速数据线路和高频射频信号提供瞬态电压抑制(TVS)保护。该器件具有低电容特性,可有效防止静电放电(ESD)、雷击浪涌和其他瞬态过压事件对敏感电子设备造成的损害。
此产品适用于需要高性能保护的各种应用场合,例如通信设备、消费类电子产品和工业自动化系统。
工作电压:±7V
峰值脉冲电流:15A
箝位电压:13.4V
电容:0.8pF
响应时间:≤1ps
结电容:0.6pF
最大工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
PESDNC2XD7VB 提供了卓越的性能特点:
1. 超低电容设计使其非常适合高速数据线保护场景。
2. 快速响应时间可以及时抑制瞬态电压威胁。
3. 高峰值脉冲电流能力确保其在恶劣环境下依然可靠运行。
4. 管脚兼容多种标准封装类型,便于电路设计和升级。
5. 广泛的工作温度范围增加了器件的适应性,满足不同环境下的使用需求。
该元器件广泛应用于以下领域:
1. USB 3.0/3.1 和 HDMI 数据接口保护。
2. 移动通信设备中的射频前端防护。
3. 工业以太网及自动化控制系统的信号链保护。
4. 消费类音频视频设备的ESD防护。
5. 医疗器械的数据传输线路保护。
PESD2N2XD7, PESDNC2XDA7VB