时间：2025/12/23 17:32:12
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PESDNC2XD3V3B 是一款高性能的双向静电放电 (ESD) 保护二极管阵列，专为高速数据线提供瞬态电压抑制保护而设计。该器件采用超低电容设计，非常适合用于保护高速信号接口免受 ESD 和其他瞬态电压的损害。
它具有极低的动态电阻和快速响应时间，能够有效地将过压瞬变钳位到安全水平，从而保护下游电路不受损坏。此外，PESDNC2XD3V3B 的封装小巧，适合高密度 PCB 布局。
工作电压：±3.3V
最大箝位电压：±12V
峰值脉冲电流：±5A
结电容：0.7pF
响应时间：≤1ns
工作温度范围：-55℃ 至 +150℃
封装形式：DFN1006-2
1. 双向对称保护，适用于差分信号线。
2. 超低结电容（仅 0.7pF），对高速信号的影响极小。
3. 快速响应时间（≤1ns），可迅速抑制瞬态电压。
4. 极低的动态电阻，确保高效的过压保护。
5. 符合 AEC-Q101 标准，适用于汽车级应用。
6. 小型化封装（DFN1006-2），节省 PCB 空间。
7. 提供可靠的 ESD 保护能力，符合 IEC 61000-4-2 国际标准（接触放电 ±8kV，空气放电 ±15kV）。
1. 高速数据接口保护，例如 USB 3.0/3.1、HDMI、DisplayPort、Thunderbolt 等。
2. 汽车电子系统中的 CAN 总线、LIN 总线保护。
3. 移动设备中的射频线路保护，例如 Wi-Fi、蓝牙、GPS。
4. 工业控制系统的通信接口保护，如 RS-485、RS-232。
5. 电信设备中的以太网端口保护。
PESD2CANHTG, PESD5V0R1UCA, SMAJ33A
