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PESDNC2FD36VB 发布时间 时间:2025/7/4 3:07:59 查看 阅读:13

PESDNC2FD36VB 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高压静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。该器件专为高速数据线和信号线的瞬态电压抑制而设计,能够提供卓越的 ESD 防护能力,同时保持低电容以减少对信号完整性的干扰。
  这款二极管阵列具有多通道保护功能,适用于 USB、HDMI、以太网等高速接口的保护场景。

参数

工作电压:3.3V / 5V / 12V
  击穿电压(VBR):±36V
  最大钳位电压(VC):±28V
  峰值脉冲电流(IPP):4A
  电容(Cdyn):0.5pF(典型值)
  响应时间:≤1ps
  结温范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:DFN2071B-2

特性

PESDNC2FD36VB 的主要特性包括:
  1. 超低动态电容(Cdyn),确保在高速数据应用中不会显著影响信号质量。
  2. 极快的响应时间,能够迅速抑制瞬态电压尖峰。
  3. 高度可靠的 ESD 防护性能,符合 IEC 61000-4-2 国际标准,可承受 ±36kV 接触放电和 ±36kV 空气放电。
  4. 小型化封装,节省电路板空间,适合便携式和紧凑型设备。
  5. 支持多路保护,简化了设计并减少了所需的元件数量。
  6. 采用无铅工艺制造,符合 RoHS 和 REACH 环保要求。

应用

该芯片广泛应用于需要高可靠性和高性能 ESD 保护的领域,例如:
  1. USB 2.0/3.0 接口保护。
  2. HDMI 和 DisplayPort 数据线保护。
  3. 以太网端口防护。
  4. 移动设备中的射频线路保护。
  5. 工业自动化设备中的通信接口保护。
  6. 汽车电子系统的高速数据传输线保护。

替代型号

PESD2CANFD24VB, PESD24CANFD24VB

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