时间：2025/7/4 3:07:59
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PESDNC2FD36VB 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高压静电放电 (ESD) 保护二极管阵列。该器件专为高速数据线和信号线的瞬态电压抑制而设计，能够提供卓越的 ESD 防护能力，同时保持低电容以减少对信号完整性的干扰。
这款二极管阵列具有多通道保护功能，适用于 USB、HDMI、以太网等高速接口的保护场景。
工作电压：3.3V / 5V / 12V
击穿电压（VBR）：±36V
最大钳位电压（VC）：±28V
峰值脉冲电流（IPP）：4A
电容（Cdyn）：0.5pF（典型值）
响应时间：≤1ps
结温范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：DFN2071B-2
PESDNC2FD36VB 的主要特性包括：
1. 超低动态电容（Cdyn），确保在高速数据应用中不会显著影响信号质量。
2. 极快的响应时间，能够迅速抑制瞬态电压尖峰。
3. 高度可靠的 ESD 防护性能，符合 IEC 61000-4-2 国际标准，可承受 ±36kV 接触放电和 ±36kV 空气放电。
4. 小型化封装，节省电路板空间，适合便携式和紧凑型设备。
5. 支持多路保护，简化了设计并减少了所需的元件数量。
6. 采用无铅工艺制造，符合 RoHS 和 REACH 环保要求。
该芯片广泛应用于需要高可靠性和高性能 ESD 保护的领域，例如：
1. USB 2.0/3.0 接口保护。
2. HDMI 和 DisplayPort 数据线保护。
3. 以太网端口防护。
4. 移动设备中的射频线路保护。
5. 工业自动化设备中的通信接口保护。
6. 汽车电子系统的高速数据传输线保护。
PESD2CANFD24VB, PESD24CANFD24VB
