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PESDHC2FD12VU 发布时间 时间:2025/6/21 8:46:00 查看 阅读:4

PESDHC2FD12VU是一款高性能的瞬态电压抑制(TVS)二极管阵列,主要用于保护电子设备免受静电放电(ESD)、数据线箝位和电路过压脉冲的损害。该器件采用双向多通道设计,具有超低电容特性,非常适合高速数据线和信号线的保护应用。它符合IEC 61000-4-2国际标准,并能够承受高达±30kV(空气放电)/ ±30kV(接触放电)的ESD冲击。

参数

工作电压:12V
  峰值脉冲功率:500W
  响应时间:≤1ns
  结电容:≤1pF
  漏电流:≤1μA
  封装形式:SOT-23
  工作温度范围:-55℃至+150℃

特性

PESDHC2FD12VU采用了先进的硅雪崩技术制造,具备卓越的ESD防护能力。
  其超低结电容特性使其非常适合高速数据传输接口,例如USB、HDMI、以太网等。
  该器件具有快速响应时间,能够在纳秒级别内迅速抑制过压脉冲,从而保护后端敏感电路。
  PESDHC2FD12VU支持多通道设计,简化了PCB布局并减少了所需的保护元件数量。
  此外,它还具有高可靠性,能够在恶劣的电磁环境下保持稳定性能。

应用

PESDHC2FD12VU广泛应用于消费类电子产品、通信设备和工业控制系统中,典型应用场景包括:
  USB接口保护
  HDMI接口保护
  以太网端口保护
  射频信号线保护
  音频/视频信号线保护
  RS-232/RS-485通信线路保护
  其他需要ESD防护的高速数据传输接口

替代型号

PESD2CANBD12VU
  PESD2CANBD24VU
  PESD2CANST12VU

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