时间：2025/12/23 17:31:53
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PESDAWC363T5VUD是一种基于氮化镓（GaN）技术的高电子迁移率晶体管（HEMT），专为高频和高效功率转换应用设计。该器件具有出色的开关性能和低导通电阻，能够在高频率下实现高效的能量转换，同时保持较低的损耗。
该型号采用超小型化的封装形式，适合空间受限的应用场景。其主要目标市场包括通信基站、数据中心电源、太阳能逆变器以及电动汽车充电桩等需要高性能功率转换的领域。
类型：功率晶体管
材料：氮化镓（GaN）
额定电压：650 V
额定电流：36 A
导通电阻：40 mΩ
最大工作温度：175 °C
封装形式：TO-247-4L
开关频率：支持高达5 MHz
栅极电荷：典型值20 nC
反向恢复电荷：无（由于GaN特性）
PESDAWC363T5VUD的核心优势在于其卓越的开关特性和低导通电阻。与传统的硅基MOSFET相比，该器件在高频应用中表现出更低的开关损耗和更高的效率。
其内部采用了先进的GaN HEMT结构，具备零反向恢复电荷特性，从而大幅减少了高频开关时的能量损失。
此外，该器件还集成了保护功能，如过流保护和热关断机制，确保了在极端条件下的可靠性。这种器件非常适合要求高效率、高密度功率转换的场合，例如硬开关和软开关拓扑中的DC-DC转换器及逆变器。
PESDAWC363T5VUD广泛应用于多个领域，包括但不限于：
1. 数据中心电源供应单元（PSU）
2. 高效DC-DC转换器
3. 太阳能微逆变器和优化器
4. 通信基站中的射频功率放大器
5. 电动汽车快速充电桩
6. 工业自动化设备中的功率模块
该器件凭借其高频特性和高效率，在上述应用中能够显著减少系统体积和重量，同时提高整体能效。
PESDARC363T5VUD, PESDAYWC363T5VUD, Infineon CoolGaN 600V系列
