时间：2025/7/2 16:59:21
阅读：20
PESDALC236T5V4 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率电子开关器件，专为高频、高效率应用场景设计。该型号属于 Enhancement Mode GaN FET 系列，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高电源转换系统的性能。其封装形式为 LFPAK8，适合表面贴装技术 (SMT)，并广泛应用于消费类电子、工业电源和通信设备等领域。
该器件在设计上结合了先进的 GaN 材料特性和优化的芯片结构，从而实现了更高的功率密度和更低的能耗。
最大漏源电压：650 V
导通电阻：40 mΩ
栅极驱动电压：4.5 V ~ 6 V
连续漏极电流：10 A
工作温度范围：-55 °C ~ 175 °C
开关频率：高达 5 MHz
封装类型：LFPAK8
1. 使用氮化镓材料制造，具备高击穿电压和低导通电阻的特点。
2. 支持高频操作，适用于硬开关和软开关拓扑。
3. 封装体积小，散热性能优越，适合高功率密度应用。
4. 内置 ESD 保护电路，增强可靠性。
5. 提供快速的开关速度和较低的开关损耗。
6. 兼容标准 MOSFET 驱动器，易于集成到现有系统中。
7. 工作温度范围宽，适应恶劣环境下的运行需求。
PESDALC236T5V4 主要用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. DC-DC 转换器，包括降压和升压电路。
3. 消费类电子产品中的充电器和适配器。
4. 太阳能微型逆变器和储能系统。
5. 电机驱动和 LED 驱动电路。
6. 数据中心电源和电信设备电源模块。
7. 快充协议相关的便携式设备充电解决方案。
PESD100LC236T5V4
PESDALC236T6V5
GAN042-650WSA
