PESDALC10N3V3U 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的增强型功率晶体管,采用DFN5*6封装形式。此器件具有高开关速度、低导通电阻和高效率的特点,适用于高频开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等应用领域。得益于其先进的材料特性和结构设计,该器件能够在高压环境下保持出色的性能表现,同时减少系统整体功耗。
类型:功率晶体管
材料:氮化镓 (GaN)
封装:DFN5*6
最大漏源电压(Vds):600V
最大栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):10A
导通电阻(Rds(on)):3.3mΩ
结温范围:-55℃至+175℃
反向恢复电荷(Qrr):无(由于GaN特性)
PESDALC10N3V3U利用了氮化镓技术的优势,提供比传统硅基MOSFET更低的导通电阻和更高的开关频率。这种特性使得它非常适合用于要求高效能和小型化的应用中。此外,该器件还具备以下特点:
1. 极低的栅极电荷和输出电荷,有助于降低开关损耗。
2. 高度可靠的增强型设计,无需复杂的栅极驱动电路。
3. 具备快速的开关速度,能够有效减少死区时间。
4. 无反向恢复电荷问题,进一步提升系统效率。
5. 宽广的工作温度范围,适合各种恶劣环境下的应用。
该器件广泛应用于需要高效能和高功率密度的场合,例如:
1. 开关电源(SMPS),包括AC-DC适配器和USB-PD充电器。
2. DC-DC转换器,特别是电动汽车和工业设备中的转换模块。
3. 无线充电设备,以提高充电效率。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源相关设备。
5. 各类电机驱动系统,如无人机、机器人和家电中的驱动装置。
PSMN2R0-60YLH, PSMN2R0-60YLC